[发明专利]一种控制前驱物氟钡比制备高温超导膜的方法

权利要求书

1.一种控制前驱物氟钡比制备高温超导膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）将稀土金属盐、三氟乙酸或三氟乙酸酐、钡盐和铜盐按比例称量并分散于溶剂中，搅拌后得到均匀的前驱物；所述稀土金属盐、钡盐、铜盐的金属阳离子摩尔比为1：(1+x)：3，其中，0.5≤x≤1；所述三氟乙酸或三氟乙酸酐的使用量需保证所得前驱物中氟与钡两种元素的摩尔比值R为2≤R≤4；

（2）将前驱物涂覆于基底上得到前驱膜；

（3）将步骤（2）所得到的前驱膜置入热处理炉中，将炉温升至300℃～650℃并保温0～60分钟；

（4）将炉温升至700℃～825℃并保温20～250分钟；

（5）将炉温降至400℃～500℃并保温0～240分钟。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述稀土金属盐为乙酸盐、硝酸盐、碳酸盐、盐酸盐、丙烯酸盐和环烷酸盐中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述稀土金属盐中稀土金属为钇、钆、钐、钕、铕、镝、钬和铒中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述钡盐为乙酸盐、硝酸盐、碳酸盐、盐酸盐、丙烯酸盐和环烷酸盐中的一种或多种；所述铜盐为乙酸盐、硝酸盐、碳酸盐、盐酸盐、丙烯酸盐和环烷酸盐中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述溶剂为酸类溶剂、醇类溶剂和水中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（2）中，所述基底为具有双轴织构的氧化物，其形式为单晶基片或具有双轴织构的薄膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（2）中，所述涂覆方式为旋涂、浸涂、模缝涂布或喷涂打印。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（3）中，所述升温速率为1～1500℃/分钟。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（4）中，所述升温速率为10～100℃/分钟。