[发明专利]半导体发光元件、发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：

由掺杂有n型杂质的III族氮化物半导体构成的n型半导体层；

层叠在所述n型半导体层上，由III族氮化物半导体构成，并且通过通电而发出500nm以上570nm以下的波长的光的发光层；和

层叠在所述发光层上，由掺杂有p型杂质的III族氮化物半导体构成的p型半导体层，

所述发光层具有：

由III族氮化物半导体构成的4层以上的阱层；和

5层以上的势垒层，所述势垒层由带隙比所述阱层大的III族氮化物半导体构成，从两侧夹持4层以上的该阱层的每一层，并且，在与所述n型半导体层的边界部与该n型半导体层连接、且在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接，

在5层以上的所述势垒层之中的、设在与所述n型半导体层的边界部的1层n侧势垒层中掺杂有所述n型杂质，

在5层以上的所述势垒层之中的、将所述n侧势垒层除外的4层以上的势垒层中没有掺杂所述n型杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，5层以上的所述势垒层之中的、将设在与所述p型半导体层的边界部的1层p侧势垒层除外的4层以上的势垒层分别具有第1厚度，

5层以上的所述势垒层之中的所述p侧势垒层具有比所述第1厚度薄的第2厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述p型半导体层具有：层叠在所述发光层上的p型覆盖层；和层叠在该p型覆盖层上的p型接触层，

所述p型覆盖层的厚度，比4层以上的所述阱层的每一层的厚度厚，且为所述p侧势垒层的所述第2厚度以下。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

4层以上的所述阱层之中，最接近于所述n型半导体层的第1阱层和仅次于该第1阱层地接近于该n型半导体层的第2阱层，分别厚度不均匀地构成，

4层以上的所述阱层之中，将所述第1阱层和所述第2阱层除外的2层以上的阱层，分别厚度均匀地构成。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述n型半导体层具有超晶格结构，所述超晶格结构是交替地层叠由III族氮化物半导体构成的第1层和由组成与该第1层不同的III族氮化物半导体构成的第2层而成的。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

5层以上的所述势垒层分别由GaN构成，并且，4层以上的所述阱层分别由GaInN构成，

4层以上的所述阱层分别被设定为共同的厚度且具有共同的组成。

7.一种发光装置，其特征在于，具有：形成有第1配线和第2配线的基部；和安装于该基部且与该第1配线和该第2配线电连接，通过介由该第1配线和该第2配线的通电而发光的半导体发光元件，

所述半导体发光元件包括：

由掺杂有n型杂质的III族氮化物半导体构成的n型半导体层；

发光层，其层叠在所述n型半导体层上，由III族氮化物半导体构成并且通过通电而发出500nm以上570nm以下的波长的光；

层叠在所述发光层上，由掺杂有p型杂质的III族氮化物半导体构成的p型半导体层；

用于将所述p型半导体层和所述第1配线电连接的p侧电极；和

用于将所述n型半导体层和所述第2配线电连接的n侧电极，

所述发光层具有：

由III族氮化物半导体构成的4层以上的阱层；和

5层以上的势垒层，所述势垒层由带隙比所述阱层大的III族氮化物半导体构成，从两侧夹持4层以上的该阱层的每一层，并且，在与所述n型半导体层的边界部与该n型半导体层连接、且在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接，

在5层以上的所述势垒层之中的、设在与所述n型半导体层的边界部的1层n侧势垒层中掺杂有所述n型杂质，

在5层以上的所述势垒层之中的、将所述n侧势垒层除外的4层以上的势垒层中没有掺杂所述n型杂质。