[发明专利]薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 201310336493.1 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104347754A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 赵宇;肖志斌;许军;韩志刚 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄型 gainp gaas ge 太阳电池 制备 方法 | ||
1.薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法，包括在GaInP/GaAs/Ge外延片的受光面蒸镀上电极、在背光面蒸镀下电极，上电极上蒸镀减反射膜，其特征在于：对GaInP/GaAs/Ge外延片进行衬底的腐蚀，使厚度0.18mm±0.02mm的外延片减薄至0.14mm以下；所述衬底的腐蚀过程包括：用涂胶机在外延片的受光面旋涂胶，放入80～100℃的烘箱中烘烤20～60s，将外延片放入比例为双氧水：氢氟酸=200ml：100ml的溶液中，当外延片厚度减至0.14mm以下，取出外延片，用去离子水清洗，完成对外延片上衬底的减薄。
2.根据权利要求1所述的薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法，其特征在于：所述受光面的上电极蒸镀过程包括：先制出梳状密栅形栅线的光刻板；采用光刻机根据光刻板图形对受光面上光刻出梳状密栅形栅线槽；通过自动蒸发设备，在外延片受光面上梳状密栅形栅线槽内依次蒸镀出带有梳状密栅形栅线的Au-Ge-Ag-Au上电极。
3.根据权利要求1所述的薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法，其特征在于：所述下电极为Au-Ge-Ag下电极。
4.根据权利要求1所述的薄型GaInP/GaAs/Ge太阳电池的制备方法，其特征在于：所述减反射膜为TiO2/Al2O3减反射膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
