[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：N型衬底、位于所述N型衬底表面上的外延层，所述外延层包括凹槽；

覆盖所述凹槽表面的金属层；

覆盖除所述凹槽之外的所述外延层表面的绝缘层；

位于所述外延层表面内，且包围所述凹槽的第一P型阱区，所述第一P型阱区隔离所述金属层和所述外延层；

其中，所述第一P型阱区和所述金属层的接触区域形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括：

位于所述外延层表面内和所述第一P型阱区内，且处于所述凹槽下方的第二P型阱区，所述第二P型阱区的宽度大于所述凹槽的宽度，所述第一P型阱区的宽度大于所述第二P型阱区的宽度，所述第一P型阱区的杂质浓度小于所述第二P型阱区的杂质浓度；

其中，所述第二P型阱区和所述金属层的接触区域形成欧姆接触。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述金属层还覆盖所述绝缘层的上表面和靠近所述凹槽的侧面；所述器件还包括：

位于所述第一P型阱区内的N型区域，所述N型区域围绕所述凹槽的侧面，且与所述金属层和所述绝缘层均接触；

其中，所述N型区域未与所述外延层接触，且所述N型区域的深度小于所述凹槽的深度。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述器件还包括：位于所述金属层与所述绝缘层之间的多晶硅层。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述N型衬底为饱和掺杂的N型单晶硅；

所述外延层为掺杂浓度低于所述N型衬底的掺杂浓度的N型单晶硅。

6.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

在N型衬底的外延层的表面上形成绝缘层；

通过刻蚀，去除预设区域内的所述绝缘层，以露出所述外延层的表面，形成窗口；

向所述窗口第一次注入P型杂质，并进行驱入，以形成位于所述外延层表面内的第一P型阱区，所述第一P型阱区对应的区域包含且大于所述窗口对应的区域；

根据预设的刻蚀深度，刻蚀所述窗口对应的区域，以在所述外延层的表面形成凹槽；

在所述凹槽的表面上，淀积金属层，以覆盖所述凹槽的表面；

其中，所述第一P型阱区隔离所述金属层和所述外延层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据预设的刻蚀深度，刻蚀所述窗口对应的区域，以在所述外延层的表面形成凹槽之后，还包括：

向所述凹槽第二次注入P型杂质，并进行驱入，以形成位于所述第一P型阱区内且处于所述凹槽下方的第二P型阱区；

其中，第一次注入P型杂质的能量大于第二次注入P型杂质的能量，第一次注入P型杂质的杂质剂量小于第二次注入P型杂质的杂质剂量，所述第二P型阱区对应的区域包含且大于所述凹槽对应的区域，所述第一P型阱区对应的区域包含且大于所述第二P型阱区对应的区域。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述根据预设的刻蚀深度，刻蚀所述窗口对应的区域之前，还包括：

向所述窗口注入N型杂质，并进行驱入，以形成位于所述第一P型阱区内的N型阱区，所述第一P型阱区对应的区域包含且大于所述N型阱区对应的区域，所述N型阱区对应的区域包含且大于所述窗口对应的区域；

所述根据预设的刻蚀深度，刻蚀所述窗口对应的区域，具体包括：

以大于所述N型阱区的深度的所述刻蚀深度，刻蚀所述窗口对应的区域，以去除所述N型阱区中位于所述窗口下方的区域，保留所述N型阱区中位于所述绝缘层下方的区域；

所述在所述凹槽的表面上，淀积金属层，以覆盖所述凹槽的表面，具体包括：

在所述凹槽的表面上、所述绝缘层的上表面和靠近所述凹槽的侧面上，淀积金属层，以覆盖所述凹槽的表面、及所述绝缘层的上表面和靠近所述凹槽的侧面。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀，去除预设区域内的所述绝缘层之前，还包括：

在所述绝缘层的表面上形成多晶硅层；

光刻所述多晶硅层，以露出所述区域内所述绝缘层的表面；

所述在所述凹槽的表面上，淀积金属层，以覆盖所述凹槽的表面，具体包括：

在所述凹槽的表面上、所述多晶硅层的上表面和靠近所述凹槽的侧面上，淀积金属层，以覆盖所述凹槽的表面、及所述多晶硅层的上表面和靠近所述凹槽的侧面。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述N型杂质为砷；所述P型杂质为硼。