[发明专利]一种半导体器件的选择性刻蚀方法及BSI图像传感器制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：

用HNA溶液刻蚀掺杂型硅，反应预定时间后得到亚硝酸根离子浓度为C₁的刻蚀液；

用所述刻蚀液选择性刻蚀待刻蚀的半导体器件，其中，刻蚀所述半导体器件所需的亚硝酸根离子初始浓度为C₀；

所述C₁大于等于C₀，且所述HNA溶液为由氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。

2.根据权利要求1所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述C₁大于等于5倍C₀。

3.根据权利要求2所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述C₁为亚硝酸根离子的饱和浓度。

4.根据权利要求1所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂型硅为电阻率小于10^-1Ω.cm的掺杂型硅。

5.根据权利要求4所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂型硅的电阻率范围在10^-3Ω.cm至10^-2Ω.cm之间。

6.根据权利要求1所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂型硅的掺杂元素是砷、锑、磷或硼。

7.根据权利要求1所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂型硅是P型硅或N型硅。

8.根据权利要求7所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂型硅是掺杂浓度大于1×10¹⁸atom/cm³，电阻率为0.006-0.01Ω.cm的P型硅。

9.根据权利要求1所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述预定时间为55至65分钟，优选为60分钟。

10.根据权利要求1所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述HNA溶液中HF：HNO₃：CH₃COOH的体积比为1-5：1-5：2-10，优选为1：3：8。

11.根据权利要求1所述的选择性刻蚀方法，其特征在于，

用所述HNA溶液刻蚀掺杂型硅的方法包括：将所述HNA溶液喷涂到所述掺杂型硅上，在室温下旋转所述掺杂型硅；

所述刻蚀液刻蚀待刻蚀的半导体器件的方法包括：将所述刻蚀液喷涂到所述待刻蚀半导体器件的待刻蚀部分，在室温下旋转所述待刻蚀的半导体器件。

12.一种BSI图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S101，提供衬底，所述衬底包括第一表面和与之相对设置的第二表面；

步骤S102，在所述衬底的第一表面形成外延层，所述外延层电阻率R₁大于所述衬底电阻率R₂；

步骤S103，选择性刻蚀所述衬底的第二表面，直至暴露出所述外延层的下表面；所述选择性刻蚀衬底的第二表面的方法为权利要求1至11中任一项所述的选择性刻蚀方法；

步骤S104，在暴露出的所述外延层的下表面依次形成滤光片和微透镜。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述R₁大于10^-1Ω.cm，所述R₂小于10^-1Ω.cm。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述R₁大于等于10倍R₂。

15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述R₁大于等于100倍R₂。

16.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S102和步骤S103之间，进一步包括以下步骤：

在所述外延层内部形成传感区；以及

在所述外延层上表面依次形成像素区、互连层以及钝化层。