[发明专利]一种石墨烯导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

在电解质溶液中，以石墨为阴极、铜箔为阳极，利用电化学沉积方法在石墨电极表面沉积金属铜；

将表面沉积有金属铜的石墨放入炉中，在氢气和甲烷气氛中，在高温条件下利用化学气相沉积方法在铜表面生长石墨烯；

在石墨烯表面黏贴热释放胶带，并将铜薄膜从石墨基底表面剥离，得到由热释放胶带、石墨烯和铜组成的第一复合膜；

在电解质溶液中，以石墨为阴极、所述第一复合膜为阳极，利用电化学方法腐蚀除去金属铜，得到由热释放胶带和石墨烯组成的第二复合膜，并在阴极石墨表面沉积得到金属铜薄膜；

将所述第二复合膜放置在透明基底表面上，并使石墨烯与透明基底直接接触，在加热条件下除去热释放胶带，得到石墨烯导电薄膜。

2.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用电化学沉积方法在石墨电极表面沉积金属铜的工艺条件为：在石墨阴极和铜箔阳极之间施加直流电压，直流电压大小为0.5-10V，电沉积时间为5-15分钟。

3.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用化学气相沉积方法在铜表面生长石墨烯的生长条件为：生长温度为900-1070℃，氢气和甲烷的气体流量分别为5-100sccm和2-50sccm，生长时间为2-30分钟。

4.如权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述利用电化学方法腐蚀除去金属铜的工艺条件为：在石墨阴极和所述第一复合膜阳极之间施加直流电压，直流电压大小为0.5-10V，电沉积时间为5-15分钟。

5.如权利要求1-4中任一所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述电解质溶液是由硫酸铜和硫酸组成的混合溶液，或是由硝酸铜和硝酸组成的混合溶液，或是由醋酸铜和醋酸组成的混合溶液。

6.如权利要求1-4中任一所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述透明基底包括玻璃、石英和PET薄膜。

7.如权利要求1-4中任一所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述热释放胶带的热释放温度为大于等于90℃。