[发明专利]薄膜电容式触摸屏的制作方法在审
申请号: | 201310296021.8 | 申请日: | 2013-07-15 |
公开(公告)号: | CN103345344A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 桂政兴;李一峰;廖亮飞;杨利平;王春平;孙官恩;罗成文;王战娥 | 申请(专利权)人: | 深圳南玻显示器件科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 电容 触摸屏 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及触摸屏制作领域,尤其是涉及一种薄膜电容式触摸屏的制作方法。
背景技术
触摸屏又称“触控屏”、“触控面板”等,是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置,当用户接触屏幕上的图形按钮时,屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程序驱动各种连接装置,可用以取代机械式的按钮面板,并借由液晶显示面板制造出生动的影音效果。触摸屏作为一种最新的电脑输入设备,其是由最简单、方便、自然的一种人际交互方式。传统的薄膜触摸屏制作方法主要是在透明导电薄膜的两个短边分别打孔,孔径一般在3mm左右,在贴完干膜和曝光之后将透明导电薄膜挂在有针脚的框架上,然后经过显影、蚀刻、剥膜等制成后作出所需要的图案。但由于透明导电薄膜的背面没有载体,当悬挂在框架上后,在显影、蚀刻、剥膜等过程中容易造成背面刮伤,在药液和水喷射、冲洗时由于存在压力会造成薄膜折伤等情况的方式,从而产品的良率受影响。
发明内容
基于此,有必要提供一种可以有效提高产品良率的薄膜电容式触摸屏的制作方法。
一种薄膜电容式触摸屏的制作方法,包括如下步骤:
在洁净的基板表面粘贴粘结层,所述粘结层双面均具有胶粘性且胶粘性较强的一面与所述基板完全贴合;
将待加工的透明导电薄膜粘贴在所述粘结层的另一面,且所述透明导电薄膜与所述粘结层完全贴合;
对所述透明导电薄膜进行处理制成预设的图案;
将制成预设图案的所述透明导电薄膜从所述粘结层表面撕离进行后续工序处理。
在其中一个实施例中,所述基板的材质为玻璃。
在其中一个实施例中,所述粘结层包括PET基底以及分别涂覆在所述PET基底两侧的硅胶,所述胶粘性较强的一面的硅胶中的离心剂含量低于胶粘性较弱的一面的硅胶中的离心剂含量。
在其中一个实施例中,所述透明导电薄膜的材质为金属掺杂的n型半导体氧化物。
在其中一个实施例中,所述透明导电薄膜的材质为ITO。
在其中一个实施例中,对所述透明导电薄膜进行处理制成预设的图案包括对所述透明导电薄膜依次进行清洗、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀和剥膜的步骤。
在其中一个实施例中,所述后续工序处理包括将预设图案的所述透明导电薄膜贴合在触摸屏基板表面并进行打孔、柔性电路板绑定操作的步骤。
通过将透明导电薄膜粘贴在粘结层上,而粘结层与基板粘贴,从而在透明导电薄膜在加工过程中可以有效保护透明导电薄膜的背面不受刮伤影响,且采用上述方法可以省去在透明导电薄膜上打孔的步骤,从而不用以单片挂孔的形式曝光、显影、蚀刻、剥膜,可以直接走流水线,产品的良率得到提高。
附图说明
图1为一实施方式的薄膜电容式触摸屏的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面主要结合附图对薄膜电容式触摸屏的制作方法作进一步详细的说明。
如图1所示,一实施方式的薄膜电容式触摸屏的制作方法,包括如下步骤:
步骤S110,在洁净的基板表面粘贴粘结层,粘结层双面均具有胶粘性且胶粘性较强的一面与基板完全贴合。
基板为硬性材质制作,经高温(140℃)烘烤后不会弯曲或弯曲度小于0.1mm。具体在本实施方式中,基板为玻璃基板,可以理解,在其他实施方式中,基板的材质还可以为其他硬性塑料材质等,如对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯塑料。
粘结层包括PET基底以及分别涂覆在所述PET基底两侧的硅胶。胶粘性较强的一面的硅胶中的离心剂含量低于胶粘性较弱的一面的硅胶中的离心剂含量。采用PET基底的粘结层耐高温(120~140℃)并耐酸碱。
在本实施方式中,当将粘结层粘贴在基板表面时,选择将胶粘性能较强的一面与基板完全贴合,中间不留空隙和气泡,并且不能有异物和皱折,并且经过高温(120~140℃)烘烤后粘结层与基板之间也不能有气泡。
步骤S120,将待加工的透明导电薄膜粘贴在粘结层的另一面,且透明导电薄膜与粘结层完全贴合,中间不留空隙和气泡,并且不能有异物和皱折,并且经过高温(120~140℃)烘烤后粘结层与基板之间也不能有气泡。
在本实施方式中,透明导电薄膜为ITO(氧化铟锡)薄膜,可以理解,在其他实施方式中,可以理解,在其他实施方式中,透明导电薄膜的材质也不限于ITO,如还可以为其他半导体氧化物材料,尤其是透明性和导电性较好的氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)或氧化铟锌(IZO)等金属掺杂的n型半导体氧化物。
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