[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310295979.5 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103681259A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 河田泰之;米泽喜幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造碳化硅半导体器件的方法，包括：
第一步骤，将碳化硅半导体衬底暴露于气体气氛，以便在所述碳化硅半导体衬底上生长碳化硅半导体膜，在所述气体气氛中包含氯的气体被添加到包含硅的气体和包含碳的气体；以及
第二步骤，在所述碳化硅半导体膜的所述生长期间，在所述气体气氛中逐渐减少所述包含氯的气体相对于所述包含硅的气体的引入量。
2.如权利要求1所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，其特征在于
在所述第二步骤中，所述气体气氛中的所述包含氯的气体中的氯原子的数目相对于所述包含硅的气体中硅原子的数目以0.5％/分钟至1.0％/分钟的速率减小。
3.如权利要求1或2所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，其特征在于
所述第二步骤在所述第一步骤开始时执行。
4.如权利要求3所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，其特征在于
在所述第一步骤开始时，所述气体气氛的混合物中的所述包含氯的气体中的氯原子的数目是所述包含硅的气体中硅原子的数目的三倍。
5.如权利要求1所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，其特征在于
所述包含氯的气体是氯化氢气或氯气。
6.如权利要求1所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，其特征在于
在所述第一步骤中，由单晶制成的所述碳化硅半导体膜通过化学气相沉积来生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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