[发明专利]太赫兹非线性光学晶体4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶·对氯苯磺酸盐在审

专利信息
申请号: 201310284544.0 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN103388181A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 罗军华;孙志华;陈天亮;张书泉;赵三根;洪茂椿 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/54 分类号: C30B29/54;C30B7/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 赫兹 非线性 光学 晶体 甲基 氨基 苯乙烯 吡啶 氯苯 磺酸盐
【权利要求书】:

1.一种非线性光学晶体4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶·对氯苯磺酸盐,其特征在于:该晶体化学式为C22H23ClN2O3S,属于单斜晶系,Cc空间群, 晶胞参数为a = 10.363(5) ?,b = 11.163(5) ?,c = 17.892(6) ?,α=90.0°,β = 92.15(3)°,γ = 90.0°,Z = 4,V = 2068.2(15) ?3

2.一种权利要求1所述非线性光学晶体的合成方法,包括如下步骤:

(1) 4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶·对氯苯磺酸盐的制备:对氯苯磺酸甲酯、4-甲基吡啶和4-二甲基氨基苯甲醛在甲醇中以哌啶为催化剂进行回流反应,得到深红色溶液,经冷却、结晶后,可得4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶·对氯苯磺酸盐;

(2) 4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶·对氯苯磺酸盐晶体的生长:在甲醇溶液采用籽晶诱导的方式缓慢降温法生长晶体,生长条件为:初始饱和溶液温度为40-45oC,优选42 oC;降温速率0.2-0.5oC/天,籽晶采用“正转-停止-反转”的双向旋转,转速为30转/分。待晶体生长完成时,将晶体提至略高于溶液,并自然降至室温,取出晶体。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述步骤(1)中4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶·对氯苯磺酸盐采用如下方法制备:以4-甲基吡啶、碘甲烷和4-二甲基氨基苯甲醛为原料,制备4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶碘盐;将4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶碘盐和过量对氯苯磺酸银或对氯苯磺酸钠或对氯苯磺酸铵进行离子交换反应,溶液经过滤后除去沉淀,静置、冷却和结晶,可得4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶·对氯苯磺酸盐。

4.权利要求1所述晶体作为非线性倍频材料的应用。

5.根据权利要求4所述的应用,其特征在于:该晶体用于制备红外波段在800-2100 nm范围内的非线性光学倍频器件。

6.权利要求1所述晶体作为太赫兹辐射源光学器件的应用。

7.根据权利要求6所述的应用,其特征在于:该太赫兹辐射源光学器件用于输出1.5-8.2 THz波段范围的辐射波。

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