[发明专利]半导体光接收元件有效
申请号: | 201310269399.9 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103531644A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 山日龙二;西本赖史 | 申请(专利权)人: | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;何胜勇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 接收 元件 | ||
1.一种半导体光接收元件,包括:
光接收部分,其设置在半绝缘基板上并具有台面形状,所述光接收部分中层叠有多个半导体层;
绝缘膜的层叠结构,其设置在所述光接收部分的侧面的一部分上并具有如下结构:由氮化硅膜构成的第一绝缘膜、由氮氧化硅膜构成的第二绝缘膜和由氮化硅膜构成的第三绝缘膜彼此接触地层叠起来;以及
树脂膜,其设置成与所述光接收部分邻近,
所述树脂膜置于所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜中的任意者之中或之间。
2.根据权利要求1所述的半导体光接收元件,其中,
所述第二绝缘膜的内应力的方向与所述第一绝缘膜或所述第三绝缘膜的内应力的方向相反。
3.根据权利要求1或2所述的半导体光接收元件,其中,
所述第二绝缘膜设置在所述树脂膜上;并且
所述第二绝缘膜的内应力的方向与所述树脂膜的内应力的方向相反。
4.根据权利要求1或2所述的半导体光接收元件,其中,
所述第二绝缘膜具有两层结构,所述树脂膜置于所述两层结构之间。
5.根据权利要求4所述的半导体光接收元件,其中,
构成所述第二绝缘膜的所述两层结构位于设置在所述光接收部分上的电极上;并且
互连线路经由窗口与所述电极相连,所述窗口通过利用共用的掩模使所述两层结构开口而形成。
6.根据权利要求1或2所述的半导体光接收元件,其中,
所述光接收部分的上表面上设置有如下的区域:所述绝缘膜的层叠结构具有所述第三绝缘膜但不具有所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜。
7.根据权利要求4所述的半导体光接收元件,其中,
所述两层结构和所述树脂膜形成在所述第一绝缘膜上。
8.根据权利要求4所述的半导体光接收元件,还包括:
第一互连线路,其设置在所述第二绝缘膜上,
其中,所述第三绝缘膜设置在所述第一互连线路上。
9.根据权利要求8所述的半导体光接收元件,还包括:
电极连接部分,其设置在所述半绝缘基板上并具有虚设台面状结构,所述虚设台面状结构中层叠有多个半导体层;
绝缘膜的层叠结构,其设置在所述电极连接部分的侧面的一部分上并具有如下结构:所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜彼此接触地层叠起来;以及
第二互连线路,其设置在所述电路连接部分上并与所述第一互连线路相连。
10.根据权利要求9所述的半导体光接收元件,其中,
在所述光接收部分和所述电极连接部分周围的所述半绝缘基板中形成有凹槽;并且
所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜设置在所述凹槽上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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