[发明专利]过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板有效
| 申请号: | 201310264196.0 | 申请日: | 2013-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN103354206B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 李田生;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/48;H01L21/84;H01L23/498;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种过孔制作方法,其特征在于,包括下述步骤:
根据所需坡度角的大小,采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀,使采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成有预设坡度角;
根据所需选择比,采用第二刻蚀条件对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀,形成最终的过孔;
其中,采用第二刻蚀条件进行刻蚀的部分与采用第一刻蚀条件进行刻蚀的部分形成的坡度角不同。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述采用第一刻蚀条件对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀的步骤包括:
采用以物理性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行刻蚀。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,采用以物理性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对电路图案上方需要生成过孔的区域中位于顶层的膜层进行部分刻蚀。
4.如权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述采用第二刻蚀条件对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀的步骤包括:
采用以化学性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对需要生成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀。
5.一种显示面板制作方法,包括下述步骤:
形成包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层;
形成栅极绝缘层;
形成有源层;
形成包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层;
在形成有上述各层的基板上形成钝化层;其中,栅极绝缘层形成于包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层与有源层以及包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层之间,
其特征在于,所述显示面板制作方法还包括下述步骤:
根据形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔在所述钝化层上所需坡度角的大小,采用第一刻蚀条件对所述钝化层对应待形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔对应的区域进行刻蚀;
根据所述栅极绝缘层和所述包括数据线电路图案、源电极电路图案和漏电极电路图案的金属层对应的刻蚀速率选择比或根据所述栅极绝缘层和包括栅极线电路图案和栅极电路图案的金属层对应的刻蚀速率选择比,采用第二刻蚀条件对采用第一刻蚀条件刻蚀后剩余部分进行刻蚀,从而形成漏电极过孔、栅接口过孔和数据接口过孔;以及
沉积刻蚀电极层,实现相应电路图案之间的电连接。
6.如权利要求5所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述采用第一刻蚀条件对所述钝化层进行刻蚀,具体包括:
根据预设坡度角,采用以物理性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对所述钝化层进行刻蚀。
7.如权利要求6所述的显示面板制作方法,其特征在于,
采用以物理性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对所述钝化层进行部分刻蚀。
8.如权利要求7所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述采用第二刻蚀条件对采用第一刻蚀条件刻蚀后剩余部分进行刻蚀,具体包括:
采用以化学性刻蚀为主的活性等离子体刻蚀方法,对采用第一次刻蚀条件刻蚀后剩余的钝化层以及所述栅极绝缘层进行刻蚀。
9.一种显示面板,包括电路图案层、位于所述电路图案层上方的膜层,以及在所述电路图案层上方的膜层中生成的用于导通电路图案的过孔,其特征在于,所述过孔采用权利要求1至4任一项所述的方法生成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





