[发明专利]半导体发光器件

说明书

本发明是2009年4月8日提交的发明名称为“半导体发光器件”的中国专利申请200980113901.9的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件。

背景技术

III-V族半导体已经被广泛地应用于诸如蓝色和绿色发光二极管(LED)的光学器件、诸如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HEMT)的高速开关器件、以及照明装置或者显示装置的光源。

氮化物半导体主要被用于LED或者激光二极管(LD)，并且已经继续地进行研究以提高氮化物半导体的光效率或者制造处理。

发明内容

实施例提供一种半导体发光器件，包括透射导电层，该透射导电层位于化合物半导体层和第二电极层之间的外部部分处。

实施例提供一种半导体发光器件，包括位于化合物半导体层和第二电极层之间的内部部分处的欧姆接触层。

实施例提供一种半导体发光器件，包括欧姆接触层，该欧姆接触层在化合物半导体层和第二电极层之间具有多个图案。

实施例提供一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层；第一导电半导体层下面的有源层；有源层下面的第二导电半导体层；第二导电半导体层下面的第二电极层；以及在第二导电半导体层和第二电极层之间的至少一部分处的透射导电层。

实施例提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第二导电半导体层下面的第二电极层；以及第二电极层上的外部部分处的透射导电层。

附图说明

图1是示出根据实施例的半导体发光器件的侧截面图；和

图2至图9是示出根据实施例的制造半导体发光器件的方法的视图。

具体实施方式

下文中，将参考附图描述根据实施例的半导体发光器件。在实施例的描述中，将参考附图描述术语每一层的“上”或“下”，并且每一层的厚度不被限制为附图中所示的厚度。在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或者膜)、另一区域、另一衬垫或者另一图案“上”或“下”时，衬底“上”时，它能够“直接地”或“间接地”在其它衬底、层(或者膜)、区域、衬垫或者图案上，或者也可以存在一个或者更多的中间层。

图1是示出根据实施例的半导体发光器件的侧截面图。

参考图1，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、至少一个第二导电半导体层130、透射导电层151、欧姆接触层153、第二电极层155、导电支撑构件160以及第一电极170。

半导体发光器件100包括使用III-V族化合物半导体的发光二极管(LED)芯片。LED芯片可以包括发射蓝光、绿光或者红光的有色LED，或者UV(紫外线)LED。在实施例的范围内能够不同地实现LED芯片的发光。

第一导电半导体层110可以包括从是被掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP组成的组中选择的一个。

当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te这样的N型掺杂剂。第一导电半导体层110可以用作电极接触层，并且可以具有单层或者多层。实施例不限于此。

第一电极170被形成在第一导电半导体层110上以接收第一极性的电源。第一导电半导体层110可以被设置有具有预定形状的粗糙表面。在实施例的范围内粗糙表面能够被添加或者被修改。

有源层120被形成在第一导电半导体层110的下面并且可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层120可以通过使用III-V族元素的化合物半导体材料而具有阱层和阻挡层的布置。例如，有源层120可以具有InGaN阱层和GaN阻挡层的布置或者AlGaN阱层或者GaN阻挡层的布置。

有源层120包括具有根据被发射光的波长的带隙能的材料。有源层120可以包括发射诸如具有蓝色波长的光、具有红色波长的光、以及具有绿色波长的光这样的有色光的材料。实施例不限于此。导电包覆层可以被形成在有源层120上和/或下并且可以包括AlGaN层。