[发明专利]一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：采用离子束辅助磁控溅射技术，以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射，本底真空度为10^?4~10^?5Pa，射频功率为100~300W，溅射气体为氩气和氢气的混合气体，溅射气体总气压为0.1~0.5Pa，衬底温度为100~400℃，以高纯氩气作为辅助离子源形成氩辅助离子束，氩辅助离子束的能量为100~800eV，束流为5~30mA，在衬底的表面溅射沉积形成薄膜的同时氩辅助离子束撞击薄膜表面，得到低硼掺杂下高电导率a-Si:H氢化非晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的混合气体中，氩气和氢气的流量比为1~6:2。

3.根据权利要求1或2所述的一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的溅射气体总气压为0.1~0.3Pa，所述的衬底温度为150~350℃。

4.根据权利要求1或2所述的一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的氩辅助离子束的能量为200~600eV，所述的束流为10~30mA。

5.根据权利要求1或2所述的一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的高纯氩气的纯度≥99.999%。

6.根据权利要求1或2所述的一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，其特征在于所述的衬底为普通玻璃、石英玻璃或硅片。