[发明专利]一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒（CIAS）薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，包括以下步骤：

将铜源化合物、铝源化合物、铟源化合物、硫源和油胺混合，合成铜铟铝硫纳米颗粒，其中，铝、铟元素摩尔百分含量比为：0<铝/(铟+铝)<40％，所述铜铟铝硫纳米颗粒的合成温度为180-280℃；

将所述铜铟铝硫纳米颗粒分散在有机溶剂中，配制成铜铟铝硫纳米晶墨水；

将所述铜铟铝硫纳米晶墨水涂敷在镀双层Mo的基体上，形成铜铟铝硒前驱体预制膜，其中，所述镀双层Mo的基体为依次沉积有纯Mo层和掺铝的Mo层的基体；

将所述铜铟铝硒前驱体预制膜经过硒化、退火处理获得铜铟铝硒薄膜。

2.根据权利要求1所述的具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于：铜铟铝硒前驱体预制膜的制备过程中，所述镀双层Mo的基体中，掺铝Mo层中铝的摩尔百分含量为0.5-15％。

3.根据权利要求1或2所述的具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于：铜铟铝硒前驱体预制膜的制备过程中，所述镀双层Mo的基体中，掺铝Mo层厚度为20-500nm。

4.如权利要求1所述的具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述合成铜铟铝硫纳米颗粒的步骤中，所述铜源化合物、铝源化合物、铟源化合物分别为含有铜、铝、铟的氯化盐、醋酸盐、乙酰丙酮盐、氧化物中的至少一种；所述硫源为硫粉、硫化氢、二硫化碳、硫脲中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述配制成铜铟铝硫纳米晶墨水的步骤中，铜铟铝硫纳米晶墨水浓度为10-300mg/mL。

6.根据权利要求1所述的具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述配制成铜铟铝硫纳米晶墨水的步骤中，所述有机溶剂为胺类、苯类或烷硫醇类化合物中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述硒化的过程中，硒化温度为500-600℃，硒化时间为10-90min。

8.根据权利要求1或7所述的具有能带梯度分布的铜铟铝硒薄膜的制备方法，其特征在于：所述硒化的过程中采用的硒源为硒粉、硒化氢、二乙基硒中的至少一种。