[发明专利]半导体装置、数据读出方法、以及微型计算机有效

专利信息
申请号: 201310223904.6 申请日: 2013-06-06
公开(公告)号: CN103514935B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 山本章平 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 舒艳君,李洋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 数据 读出 方法 以及 微型计算机
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

数据存储单元,其存储数据;

参照数据存储单元,其对用于与所述数据的比较的参照数据进行存储;

反转数据存储单元,其对将所述参照数据反转后的反转数据进行存储;

读出放大器部,其进行第1读出处理以及第2读出处理,在第1读出处理中,若对存储在所述数据存储单元中的数据和存储在所述参照数据存储单元中的所述参照数据进行差动放大,而各个数据的电压差变为预先决定的可读出电压差,则使输出变化;在第2读出处理中,若对存储在所述数据存储单元中的数据和存储在所述反转数据存储单元中的所述反转数据进行差动放大,而各个数据的电压差变为所述可读出电压差,则使输出变化;以及

数据输出部,其基于由所述读出放大器部进行的所述第1读出处理的结果和所述第2读出处理的结果来决定存储在所述数据存储单元中的数据并进行输出,

所述参照数据存储单元预先存储低电平的数据,

所述反转数据存储单元预先存储高电平的数据,

所述数据存储单元存储低电平的数据或者高电平的数据,

所述读出放大器部具备:

第1读出放大器,其一个输入端与所述数据存储单元连接,另一个输入端与所述参照数据存储单元连接,若所述数据存储单元存储的数据与所述参照数据存储单元存储的低电平的数据的电压差变为所述可读出电压差,则使输出变化;以及

第2读出放大器,其一个输入端与所述数据存储单元连接,另一个输入端与所述反转数据存储单元连接,若所述数据存储单元存储的数据与所述反转数据存储单元存储的高电平的数据的电压差变为所述可读出电压差,则使输出变化,

所述数据输出部在所述第1读出放大器的输出与所述第2读出放大器的输出相比先变化的情况下,输出高电平的数据,在所述第2读出放大器的输出与所述第1读出放大器的输出相比先变化的情况下,输出低电平的数据。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述数据输出部将与由所述读出放大器部进行的所述第1读出处理的结果与所述第2读出处理的结果中的任意一个所述输出先变化的读出处理的结果对应的数据决定为存储在所述数据存储单元中的数据并进行输出。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

具备若所述数据输出部输出存储在所述数据存储单元中的数据,则使所述读出放大器部的数据读出处理停止的读出停止部。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

具备若所述数据输出部输出存储在所述数据存储单元中的数据,则使所述读出放大器部的数据读出处理停止的读出停止部。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

具备若所述数据输出部输出存储在所述数据存储单元中的数据,则使所述读出放大器部的数据读出处理停止,并且使由所述读出放大器部进行的第1读出处理、第2读出处理的结果均为低电平的读出停止部。

6.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

具备若所述数据输出部输出存储在所述数据存储单元中的数据,则使所述读出放大器部的数据读出处理停止,并且使由所述读出放大器部进行的第1读出处理、第2读出处理的结果均为低电平的读出停止部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述数据输出部包括闩锁电路,该闩锁电路具备所述第1读出放大器的输出被输入至复位端,所述第2读出放大器的输出被输入至置位端的第1NOR电路、第2NOR电路,

所述半导体装置具备第3NOR电路,该第3NOR电路的两个输入端与所述闩锁电路所具备的所述第1NOR电路、第2NOR电路各个的输出连接,输出端与所述第1读出放大器以及所述第2读出放大器的各个的断电端子连接,

若所述第1读出放大器以及所述第2读出放大器的任意一个的输出变化,而所述闩锁电路中的第1NOR电路、第2NOR电路的任意一个的输出变为高电平,则从所述第3NOR电路的输出端向所述第1读出放大器以及所述第2读出放大器的各个断电端子输入低电平来将在所述第1读出放大器以及所述第2读出放大器流动的电流切断。

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