[发明专利]一种MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪及其制造工艺有效

专利信息
申请号: 201310221840.6 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN104215231A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 于连忠;张忠山;孙晨 申请(专利权)人: 中国科学院地质与地球物理研究所
主分类号: G01C19/5656 分类号: G01C19/5656;G01C19/5663
代理公司: 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人: 林建军
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 高精度 谐振 闭环控制 陀螺仪 及其 制造 工艺
【权利要求书】:

1.一种MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,包括:测量体、上盖板及下盖板,其特征在于,所述测量体包括基座、耦合框、与耦合框相连接的质量块以及位于所述质量块中心的固定块;所述基座以及所述固定块与所述上盖板及所述下盖板相固定连接;所述质量块与所述耦合框通过多个弹性梁相连接;所述质量块与所述固定块之间设置有第一梳状耦合结构;所述耦合框的一侧设置有支撑梁;所述耦合框通过所述支撑梁与所述基座相连接;所述耦合框的侧壁的上部及下部分别设置有谐振梁,所述谐振梁一端与所述耦合框相连接,另一端分别与基座相连接;所述谐振梁与所述基座之间还设置有第二梳状耦合结构;所述谐振梁以及所述第二梳状耦合结构用于检测转动角速度。 

2.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述支撑梁以及所述谐振梁为弹性梁。 

3.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述质量块为中心镂空的方形体。 

4.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述弹性梁为U型弹性梁。 

5.如权利要求3所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述弹性梁设置在所述质量块的四个端角处。 

6.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述第一梳状耦合结构设置于所述质量块与所述固定块之间的间隔空间内。 

7.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述质量块、所述上盖板、所述下盖板、所述第一梳状耦合结构以及所述第二耦合结构上设置有电极。 

8.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述谐振梁与所述支撑梁设置在所述耦合框的同一侧。 

9.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述基座上设有凹槽,所述谐振梁位于所述凹槽内。 

10.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述谐振梁为上下两组,每组所述谐振梁包括两根谐振梁,每根所述谐振梁与所述基座之间设置有两对所述第二梳状耦合结构;一对所述第二梳状耦合结构用于驱动所述谐振梁,另一对用于检测旋转角速度。 

11.如权利要求10所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述第二梳状耦合结构包括两个相配合的梳齿,其中一个梳齿与所述谐振梁相连接,另一个所述梳齿与所述基座相连接。 

12.如权利要求1所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述测量体采用包括有上硅层及下硅层的双层硅结构,每层硅层之间分别设置有氧化埋层。 

13.如权利要求12所述的MEMS高精度谐振梁闭环控制陀螺仪,其特征在于,所述谐振梁以及所述弹性梁成型于所述上硅层。 

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