[发明专利]电可擦可编程只读存储器

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体存储器件，特别是涉及一种镜像位P型电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。 

背景技术

在半导体存储装置中，电可擦可编程只读存储器（EEPROM）（flash memory）是一种易失性存储器，且属于可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM）。电可擦可编程只读存储器（EEPROM）的优点是其可针对整个存储器区块进行擦除，且擦除速度快，约需一至两秒。因此，近年来，电可擦可编程只读存储器（EEPROM）已运用于各种消费性电子产品中，例如：数码相机、数码摄影机、移动电话或笔记本电脑等。 

一般而言，电可擦可编程只读存储器（EEPROM）分分栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分栅式电可擦可编程只读存储器（EEPROM）由于其特殊的结构，相比堆叠栅电可擦可编程只读存储器（EEPROM）在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，因此分栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免“过擦除”等优点，应用尤为广泛。但是由于分栅式电可擦可编程只读存储器（EEPROM）相对于堆叠栅电可擦可编程只读存储器（EEPROM）多了一个字线从而使得芯片的面积也会增加，因此如何提高芯片性能的同时进一步减小芯片的尺寸是亟待解决的问题。 

发明内容

为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种电可擦可 编程只读存储器（EEPROM），其不仅可以减少芯片面积，而且降低了编程时的功耗，同时在读操作时避免了位线耦合问题。 

为达上述及其它目的，本发明提供一种电可擦可编程只读存储器，至少包括： 

半导体衬底； 

于该半导体衬底上设置N阱，该N阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间； 

第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元； 

第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间。 

进一步地，该半导体衬底为P型衬底。 

进一步地，组阵时，于X方向，每行的字线连接在一起，控制栅极连接在一起，于Y方向，每列的偶数行的漏极连接在一起形成位线BL<i-1>，每列的奇数行源极接在一起形成位线BL<i>。 

进一步地，该电可擦可编程只读存储器进行编程操作时，选中单元的控制栅电压为5－10V，漏极及源极为-5－-9V，未选中单元的控制栅为0V。 

进一步地，对于位线未选中单元，漏极及源极为0V。 

进一步地，该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，控制栅电压为－8V，漏极、源极及N阱为10V。 

进一步地，对于擦除操作，X方向未选中时，源极、漏极及N阱电压均为0V；Y方向未选中时，控制栅电压为0V。 

进一步地，该电可擦可编程只读存储器进行读操作时，源极和N阱接电源电压Vcc，对选中单元，其控制栅、字线、漏极电压的取值分别为Vcc－1.2、Vcc-1.5及Vcc－1。 

进一步地，Vcc取值为1－3V。 

进一步地，该电可擦可编程只读存储器为镜像位P型电可擦可编程只读存储器。 

与现有技术相比，本发明一种电可擦可编程只读存储器（EEPROM）通过在P型半导体衬底上实现了一种镜像位P型的电可擦可编程只读存储器，不仅可以减少芯片面积，而且降低了编程时的功耗，同时在读操作时避免了位线耦合问题。 

附图说明

图1为本发明一种电可擦可编程只读存储器（EEPROM）的单元结构示意图； 

图2为本发明较佳实施例的阵列结构示意图； 

图3为按区块（Sector）组阵的示意图 

图4为本发明较佳实施例中编程/擦除/读操作的真值表。 

具体实施方式

以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。