[发明专利]电可擦可编程只读存储器在审
| 申请号： | 201310217963.2 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103413808A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 | ||
1.一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：
半导体衬底；
于该半导体衬底上设置N阱，该N阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间；
第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；
第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间。
2.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该半导体衬底为P型衬底。
3.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：组阵时，于X方向，每行的字线连接在一起，控制栅极连接在一起，于Y方向，每列的偶数行的漏极连接在一起形成位线BL<i-1>，每列的奇数行源极接在一起形成位线BL<i>。
4.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器进行编程操作时，选中单元的控制栅电压为5-10V，漏极及源极均为-5--9V，未选中单元的控制栅为0V。
5.如权利要求4所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：对于位线未选中单元，漏极及源极为0V。
6.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器进行擦除操作时，控制栅电压为-8V，漏极、源极及N阱为10V。
7.如权利要求6所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：对于擦除操作，X方向未选中时，源极、漏极及N阱电压均为0V；Y方向未选中时，控制栅电压为0V。
8.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器进行读操作时，源极和N阱接电源电压Vcc，对选中单元，其控制栅、字线、漏极电压的取值分别为Vcc-1.2、Vcc-1.5及Vcc-1。
9.如权利要求8所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：Vcc的取值为1-3V。
10.如权利要求1所述的一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器为镜像位P型电可擦可编程只读存储器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
