[发明专利]基板处理设备和基板处理方法在审
申请号: | 201310214510.4 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103456663A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 崔龙贤;朴正善;许弼覠 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 方法 | ||
技术领域
本文公开内容涉及一种用于处理基板的设备和方法,更具体地,涉及用于使用超临界流体来处理基板的设备和方法。
背景技术
半导体器件通过包括光刻处理的各种处理来制造,在该光刻处理中,电路图案被形成在诸如硅晶片之类的基板上。虽然半导体器件被制造,但是可能会产生各种异物(例如颗粒、有机污染物、金属杂质等)。这些异物可能导致基板缺陷以对半导体器件的性能和产量直接地施以不良影响。因此,用于除去异物的清洁处理本质上可被引入半导体器件制造处理中。
清洁处理包括:除去基板上的异物的化学处理,使用去离子(DI)水来洗涤化学物的洗涤处理,以及干燥基板的干燥处理。通过使用诸如异丙醇(IPA)之类的有机溶剂代替存在于基板上的DI水来执行典型的干燥处理,从而使该IPA蒸发。
然而,即使使用了有机溶剂,这样的干燥处理可能依旧会造成在具有带有约30nm或更少的线宽的精细电路图案的半导体器件中的图案塌陷。因此,目前的趋势在使用超临界干燥处理代替现有的干燥处理方面有所增加。
发明内容
本发明还提供一种基板处理设备,其能够通过使用超临界流体来有效地执行干燥处理。
本发明还提供一种基板处理设备,其已经改进了超临界流体的回收效率。
本发明的实施例提供了基板处理设备,其包括:提供了空间的容器,在该空间中超临界流体流动或被接收;回收管,其一端连接到容器以排出在容器内的超临界流体,该回收管包括阀;以及废液管,其连接到容器,以排出在容器内的超临界流体,该废液管包括安全阀,其中该回收管的另一端连接到回收容器,在该回收容器中,从容器排出的超临界流体被接收以用于再利用。
在一些实施例中,回收管的阀可以不同于废液管的安全阀。
在其它实施例中,安全阀可包括:连接到废液管的阀壳体,该阀壳体包括通过其引入超临界流体的入口以及通过其排出超临界流体的出口;布置在气缸中的弹性构件,该气缸被设置在阀壳体内;以及布置在弹性构件与入口之间的活塞,以用于在当由弹性构件或超临界流体压力而使该活塞移动时打开或关闭安全阀。
在又其它实施例中,防止超临界流体在活塞和阀壳体的内壁之间泄漏的填充物可以被布置在阀壳体的内壁上。
在又其它实施例中,填充物可包括氟橡胶。
在另其它实施例中,布置在回收管中的阀可以以隔膜类型设置。
在进一步实施例中,回收容器可将异物与在该回收容器中接收的超临界流体分开。
在又进一步实施例中,回收容器可以连接到将超临界流体供应至壳体中的超临界流体供应单元,该壳体提供了在其中处理基板的空间。
在又进一步实施例中,回收管可包括:主回收管,其一端连接到回收容器;以及从主回收管的另一端平行分支的第一线路和第二线路,该第一线路和第二线路中的每个都被连接到容器上。
在又进一步实施例中,阀可包括布置在第一线路中的第一阀和布置在第二线路中的第二阀。
在又进一步实施例中,容器可以包括壳体,该壳体提供了在其中处理基板的空间。
在又进一步实施例中,容器可以包括将超临界流体供应至壳体中的超临界流体供应单元,该壳体提供了在其中处理基板的空间。
在又进一步实施例中,容器可以包括:将提供了在其中处理基板的空间的壳体连接到将超临界流体供应到壳体中的超临界流体供应单元的管。
附图说明
结合附图来提供对本发明的进一步理解,附图被并入本说明书中并构成其一部分。附图示出了本发明的示例性实施例,并连同说明书一起用以解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据本发明实施例的基板处理设备的平面图;
图2是图1的第一处理室的剖视图;
图3是示出二氧化碳的相变的图示;
图4是示出图1的第二处理室的管的图示;
图5是示出超临界流体的循环的图示;
图6是示出根据本发明的另一个实施例的第二处理室的管的图示;
图7是示出根据本发明实施例的排放单元的图示;
图8是安全阀的剖视图;
图9是安全阀开通的状态的图示;
图10是安全阀和废液管彼此相连处的部分的剖视图;
图11是连接排放单元的状态的图示。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造