[发明专利]基板处理设备和基板处理方法在审
申请号: | 201310214510.4 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103456663A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 崔龙贤;朴正善;许弼覠 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 方法 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
提供了空间的容器,在所述空间中超临界流体流动或被接收;
回收管,其一端连接到容器以排出在所述容器内的所述超临界流体,所述回收管包括阀;以及
废液管,其连接到所述容器,以排出在所述容器内的所述超临界流体,所述废液管包括安全阀,
其中,所述回收管的另一端连接到回收容器,在所述回收容器中,从容器排出的超临界流体被接收以用于再利用。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述回收管的阀不同于所述废液管的安全阀。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备,其中,所述安全阀包括:
连接到所述废液管的阀壳体,所述阀壳体包括通过其引入超临界流体的入口以及通过其排出超临界流体的出口;
布置在气缸中的弹性构件,所述气缸被设置在所述阀壳体内;以及
布置在所述弹性构件与所述入口之间的活塞,以用于在当由所述弹性构件或所述超临界流体压力而使所述活塞移动时打开或关闭所述安全阀。
4.根据权利要求3所述的基板处理设备,其中,防止所述超临界流体在所述活塞和所述阀壳体的内壁之间泄漏的填充物被布置在所述阀壳体的内壁上。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中,所述填充物包括氟橡胶。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理设备,其中,布置在所述回收管中的所述阀以隔膜类型设置。
7.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述回收容器将异物与在所述回收容器中接收的所述超临界流体分离。
8.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述回收容器连接到将所述超临界流体供应至壳体中的超临界流体供应单元,所述壳体提供了在其中处理基板的空间。
9.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述回收管包括:
主回收管,其一端连接到所述回收容器;以及
从所述主回收管的另一端平行分支的第一线路和第二线路,所述第一线路和第二线路中的每个都连接到所述容器。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中,所述阀包括被布置在所述第一线路中的第一阀和被布置在所述第二线路中的第二阀。
11.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述容器包括壳体,所述壳体提供了在其中处理基板的空间。
12.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述容器包括将所述超临界流体供应至壳体中的超临界流体供应单元,所述壳体提供了在其中处理基板的空间。
13.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述容器包括将提供了在其中处理基板的空间的壳体连接到将所述超临界流体供应到所述壳体中的超临界流体供应单元的管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造