[发明专利]喷淋头以及气相沉积设备

权利要求书

1.一种喷淋头，用于MOCVD工艺，包括：喷淋头体，所述喷淋头体具有至少两个气体腔；所述每个气体腔皆具有多个气体管道贯穿所述喷淋头体的下表面；其特征在于，还包括一热壁板，所述热壁板间隔设置于所述喷淋头体的下方，所述热壁板具有多个通孔，至少一个气体腔的气体管道穿过所述通孔延伸到所述热壁板下方；所述热壁板至少包括导电层，所述导电层连接电源，使得所述导电层流通有电流。

2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述热壁板的材料为导电材料。

3.如权利要求2所述的喷淋头，其特征在于，所述导电材料为石墨、钨、钼、钽、铌、钒、铬、钛或锆中的一种或多种。

4.如权利要求2所述的喷淋头，其特征在于，所述电源的一端连接所述热壁板的中心，另一端包括有多个连接点，所述连接点均匀分布并连接于所述热壁板的四周边沿。

5.如权利要求4所述的喷淋头，其特征在于，还包括：输出功率控制器，设置于所述电源与热壁板之间，所述输出功率控制器用于控制输出到热壁板上的电源功率。

6.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头体还包括水冷却腔，所述水冷却腔位于所述至少两个气体腔下方，所述多个气体管道贯穿所述水冷却腔达到所述喷淋头体的下表面。

7.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述热壁板通过绝缘材料层与所述喷淋头体连接。

8.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述至少两个气体腔包括III族源腔和氨气腔，所述III族源腔的气体管道穿过所述通孔延伸到所述热壁板下方，所述氨气腔的气体管道延伸至所述喷淋头体与所述热壁板之间的间隙。

9.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述至少两个气体腔包括III族源腔和氨气腔，所述III族源腔和所述氨气腔的气体管道穿过所述通孔延伸到所述热壁板下方，所述热壁板与喷淋头体之间的间隙中通入有吹扫气体。

10.如权利要求9所述的喷淋头，其特征在于，所述吹扫气体为N₂、H₂或NH₃。

11.一种气相沉积设备，包括喷淋头、与所述喷淋头相对设置的衬底托盘、及加热器，所述加热器用于加热所述衬底托盘，其特征在于，包括如权利要求1至10中任意一项所述的喷淋头。