[发明专利]固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法

权利要求书

1.一种固体拍摄装置，具备：

光电变换元件，其将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累；

固定电荷层，其设置在上述光电变换元件的受光面侧，保持负的固定电荷；

在上述固定电荷层的受光面侧设置的氮化硅膜；以及

在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜。

2.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，还具备：在上述光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜。

3.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述氧化硅膜和上述固定电荷层使用ALD（原子层沉积）法形成。

4.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的上述氧化硅膜的厚度小于等于5nm。

5.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述固定电荷层的厚度小于等于10nm。

6.根据权利要求2所述的固体拍摄装置，其中，在上述光电变换元件的受光面设置的上述氧化硅膜的厚度小于等于3nm。

7.根据权利要求2所述的固体拍摄装置，其中，在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜和在上述光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜的厚度相等。

8.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述固定电荷层具有结晶化了的部位。

9.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述氮化硅膜使用CVD（化学气相沉积）法形成。

10.根据权利要求1所述的固体拍摄装置，其中，上述固体拍摄装置是背面照射型的图像传感器，上述固定电荷层和上述氧化硅膜用比上述背面照射型的图像传感器具备的布线的熔点低的成膜温度形成。

11.一种固体拍摄装置的制造方法，包括：

形成将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累的光电变换元件；

在上述光电变换元件的受光面侧形成保持负的固定电荷的固定电荷层；

在上述固定电荷层的受光面侧形成氧化硅膜；以及

在上述氧化硅膜的受光面侧形成氮化硅膜。

12.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：在上述光电变换元件的受光面形成氧化硅膜。

13.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：使用ALD（原子层沉积）法形成上述氧化硅膜和上述固定电荷层。

14.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：形成在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的上述氧化硅膜，以使得厚度小于等于5nm。

15.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：形成上述固定电荷层，以使得厚度小于等于10nm。

16.根据权利要求12所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：形成在上述光电变换元件的受光面设置的上述氧化硅膜，以使得厚度小于等于3nm。

17.根据权利要求12所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：形成在上述固定电荷层和上述氮化硅膜之间设置的氧化硅膜和在上述光电变换元件的受光面设置的氧化硅膜，以使得两者的厚度相等。

18.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：使上述固定电荷层的一部分结晶化。

19.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，包括：使用CVD（化学气相沉积）法形成上述氮化硅膜。

20.根据权利要求11所述的固体拍摄装置的制造方法，其中，上述固体拍摄装置是背面照射型的图像传感器，上述方法包括用比上述背面照射型的图像传感器具备的布线的熔点低的成膜温度形成上述固定电荷层和上述氧化硅膜。