[发明专利]瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路

权利要求书

1.一种瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，包括：瞬态触发模块、直流电压触发模块以及泄放器件；

所述瞬态触发模块，与所述泄放器件相连接，用于根据获取到的脉冲的上升时间判定所述脉冲是否满足ESD冲击的瞬态判定条件，若是，则发送第一响应信号至所述泄放器件，所述第一响应信号用于打开所述泄放器件；

所述直流电压触发模块，与所述瞬态触发模块相连接，用于根据所述脉冲的幅值判定所述脉冲是否满足ESD冲击的直流电压判定条件，若是，则发送第二响应信号至所述瞬态触发模块，所述瞬态触发模块根据所述第二响应信号控制所述泄放器件保持开启状态；

所述泄放器件，用于泄放所述脉冲带来的静电电荷。

2.根据权利要求1所述的瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述瞬态触发模块包括：PMOS晶体管M_p2，NMOS晶体管M_n2与M_fb2,电阻R₂以及电容C，其中，所述PMOS晶体管M_p2的栅极与所述NMOS晶体管M_n2的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n2的源级接地，所述NMOS晶体管M_n2的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p2的源级与所述瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb2的源级接地，所述NMOS晶体管M_fb2的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电阻R₂的一端与所述瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R₂的另一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述直流电压触发模块包括：PMOS晶体管M_p1，NMOS晶体管M_n1、M_fb1与M_nc,电阻R₁，其中，所述PMOS晶体管M_p1的栅极与所述NMOS晶体管M_n1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n1的源级接地，所述NMOS晶体管M_n1的漏极与所述PMOS晶体管M_p1的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p1的源级与所述瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb1的栅极与所述PMOS晶体管M_p1的漏极相连，所述NMOS晶体管M_fb1的栅极还与所述NMOS晶体管M_fb2的栅级相连，所述NMOS晶体管M_fb1的源级接地，所述NMOS晶体管M_fb1的漏极与所述PMOS晶体管M_p1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_nc的栅极与所述PMOS晶体管M_p1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_nc的源级接地，所述NMOS晶体管M_nc的漏极与所述NMOS晶体管M_nc的栅极相连，所述电阻R₁的一端与所述瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R₁的另一端与所述NMOS晶体管M_nc的栅极相连。

4.根据权利要求2或3所述的瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述泄放器件为NMOS晶体管M_big，所述NMOS晶体管M_big的栅极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，所述NMOS晶体管M_big的源级接地，所述NMOS晶体管M_big的漏极与所述瞬态和直流同步触发型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连。