[发明专利]混合存储器有效

专利信息
申请号: 201310161151.0 申请日: 2013-05-03
公开(公告)号: CN103886897B 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 丁裕伟;蔡竣扬;黄国钦 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 混合 存储器
【权利要求书】:

1.一种双开关混合存储单元器件,包括:

存储节点,连接于第一开关的一个端子和第二开关的栅极之间,所述第一开关还连接至写位线,并且所述第二开关连接至读位线;以及

电阻切换器件,连接在所述存储节点和选择线,所述选择线与第二开关没有直接连接;

其中,当所述存储单元处于动态模式时,所述电阻切换器件通过被设置为高阻态而用作电容。

2.根据权利要求1所述的双开关混合存储单元器件,其中,在所述存储单元处于动态模式的同时,所述电阻切换器件的所述电容用于存储数字值。

3.根据权利要求1所述的双开关混合存储单元器件,其中,利用所述存储单元的存储系统周期性地对所述电阻切换器件的所述电容进行更新。

4.根据权利要求1所述的双开关混合存储单元器件,其中,在所述存储单元处于非易失模式的同时,所述电阻切换器件以非易失方式存储数据。

5.根据权利要求1所述的双开关混合存储单元器件,其中,所述电阻切换器件为金属-绝缘体-金属转换器件。

6.根据权利要求1所述的双开关混合存储单元器件,其中,所述存储单元是嵌入式存储系统的一部分。

7.根据权利要求1所述的双开关混合存储单元器件,其中,响应于功率和存储需求的结合,利用所述存储单元的存储系统在所述动态模式和非易失模式之间切换。

8.一种用于操作双开关混合存储单元的方法,所述方法包括:

将信号施加给与第一开关的第一端子连接的位线,所述第一开关的第二端子连接至电阻切换器件的第一端子和第二开关的栅极端子;以及

在动态模式下,在所述电阻切换器件处于高阻态的同时,将数据存储在所述电阻切换器件的电容中;以及

在非易失模式下,通过所述电阻切换器件的阻态来存储数据。

9.根据权利要求8所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,进一步包括:

将读信号施加给与所述第二开关的第一端子连接的字线;以及

将读出放大器连接至与所述第二开关的第二端子连接的位线,以读取用于存储数据的所述电容的状态。

10.根据权利要求8所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,进一步包括周期性地对存储在所述电阻切换器件的所述电容中的信号进行更新。

11.根据权利要求8所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,进一步包括:将所述存储单元改变为非易失模式。

12.根据权利要求11所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,其中,响应于来自利用所述存储单元的系统的要求,所述存储单元在所述非易失模式和所述动态模式之间改变,所述要求基于存储和功率需求的结合。

13.根据权利要求11所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,其中,所述电阻切换器件连接至没有直接连接至所述第二开关的选择线,所述方法进一步包括:

通过将所述选择线连接至感测放大器检测所述电阻切换器件的状态。

14.根据权利要求13所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,进一步包括:通过在与所述第一开关的所述第一端子连接的所述位线和所述选择线之间施加信号,来改变所述电阻切换器件的所述阻态。

15.根据权利要求8所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,其中,所述电阻切换器件为金属-绝缘体-金属转换器件。

16.根据权利要求8所述的用于操作双开关混合存储单元的方法,其中,所述存储单元为嵌入式存储系统的一部分。

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