[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号: | 201310149618.X | 申请日: | 2013-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN104124327B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
| 发明(设计)人: | 黄哲瑄;林新强;叶辅湘 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/54 | 分类号: | H01L33/54;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 谢志为 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构,包括基板、形成在基板上的引脚结构和反射杯、设置在引脚结构上的发光二极管芯片及收容于所述反射杯内的第一封装层,所述发光二极管芯片包括一顶面、自该顶面朝基板方向延伸的的侧面及与所述顶面相对的底面,其特征在于:该第一封装层由透明材料均匀混合荧光粉制成,所述第一封装层的下端未贴合发光二极管芯片的顶面的区域低于该发光二极管芯片的顶面,并高于所述发光二极管芯片底面所在的平面。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第一封装层的下端与发光二极管芯片的顶面贴合。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构,其特征在于,还包括一第二封装层,所述第二封装层围设所述发光二极管芯片的侧面,所述第二封装层的上端抵顶所述第一封装层的下端未贴合发光二极管芯片的区域。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二封装层自引脚结构的上表面朝向所述第一封装层向上延伸的高度为200微米。
5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二封装层自引脚结构的上表面朝向所述第一封装层向上延伸的高度低于所述发光二极管芯片的高度。
6.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述反射杯包括靠近基板的下表面和下表面相对的一上表面,所述反射杯中部形成有贯穿上表面和下表面的凹槽,所述发光二极管芯片位于所述凹槽中,所述第一封装层和第二封装层均填充于所述凹槽中,所述第一封装层的上端与所述反射杯的上表面齐平。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述引脚结构包括第一电极和与第一电极间隔的第二电极,所述发光二极管芯片设置在第一电极的、靠近第二电极一端的表面上,所述发光二极管芯片通过导线分别与第一电极和第二电极形成电性连接。
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