[发明专利]一种Si/NiO:Na异质pn结二极管有效
| 申请号： | 201310146661.0 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104124282B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李彤 | 申请（专利权）人： | 天津职业技术师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/12;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300222 天津市津南区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si nio na 异质 pn 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种Si/NiO:Na异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由n型Si衬底上生长NiO:Na薄膜而得到的异质pn结，所述NiO:Na薄膜为以NiO:Na2O为陶瓷靶，利用磁控溅射制备的NiO:Na薄膜。
2.权利要求1所述Si/NiO:Na异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：采用半导体工艺中的清洗方法清洗硅片并用氮气吹干，用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备NiO:Na薄膜形成异质pn结,具体为：采用NiO:Na2O陶瓷靶，磁控溅射工艺制备NiO:Na薄膜，在此采用氧分压O2/(O2+Ar)＝0％-100％；溅射前的腔体本底真空度优于3x10-4Pa，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为100-200W，在镀膜之前，预溅射5min以去除靶材表面的杂质，镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600℃。
3.如权利要求2所述Si/NiO:Na异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：温度在200℃-700℃时，将该异质结退火0.5至1个小时。
4.如权利要求2所述Si/NiO:Na异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：采用溅射法或热蒸发法在pn结上制作电极；其中，NiO:Na和Si表面沉积镍，铝或金电极。
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