[发明专利]晶圆中的划线

权利要求书

1.一种晶圆，包括：

半导体衬底；

多个芯片，布置成行和列，所述半导体衬底延伸到所述多个芯片的每一个芯片中；

多条第一划线，位于所述多个芯片的行之间，其中，所述多条第一划线中的每一条划线都包括：

含金属部件划线，在其中包含金属部件；和

不含金属部件划线，平行于所述含金属部件划线且邻接所述含金属部件划线；以及

多条第二划线，位于所述多个芯片的列之间；

沟槽，穿透所述不含金属部件划线中的多个介电层，其中，所述沟槽进一步穿透所述衬底；

载具，结合至所述多个介电层，其中，所述沟槽不延伸到所述载具中；

其中，所述含金属部件划线邻接第一密封环，而所述不含金属部件划线邻接第二密封环，并且所述第一密封环和所述第二密封环分别位于所述多个芯片的第一芯片和第二芯片中。

2.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述多条第二划线中的每一条划线都包括：

另一含金属部件划线，在其中包含金属部件；以及

另一不含金属部件划线，平行于所述另一含金属部件划线且邻接所述另一含金属部件划线。

3.根据权利要求1所述的晶圆，其中，在所述多条第二划线中的每一条划线中不包含金属部件。

4.根据权利要求1所述的晶圆，还包括：

多个图像传感器，位于所述半导体衬底以及所述多个芯片的每一个芯片中。

5.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述含金属部件划线中的金属部件选自由测试焊盘、金属线、通孔和它们的组合所组成的组。

6.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述含金属部件划线包括多个所述介电层的一部分。

7.根据权利要求1所述的晶圆，其中，所述不含金属部件划线的宽度大于5μm。

8.一种半导体器件，包括：

管芯，包含第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘；

密封环，位于所述管芯中并且包含第一边、第二边、第三边和第四边，其中，所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边分别平行且邻近于所述第一边缘、所述第二边缘、所述第三边缘和所述第四边缘；

第一管芯边缘区域，位于所述第一边和所述第一边缘之间，在所述第一管芯边缘区域中不形成金属部件；

第二管芯边缘区域，位于所述第二边和所述第二边缘之间，在所述第二管芯边缘区域中形成金属部件，并且所述管芯的第二边缘没有暴露出所述第二管芯边缘区域中的金属部件。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

第三管芯边缘区域，位于所述第三边和所述第三边缘之间，在所述第三管芯边缘区域中不形成金属部件，并且所述第三管芯边缘区域和所述第一管芯边缘区域互连来形成第一L形区域；以及

第四管芯边缘区域，位于所述第四边和所述第四边缘之间，在所述第四管芯边缘区域中形成另一些金属部件，所述管芯的第四边缘没有暴露出所述第四管芯边缘区域中的金属部件，并且所述第四管芯边缘区域和所述第二管芯边缘区域互连来形成第二L形区域。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述管芯还包括：

半导体衬底，包括位于所述密封环中的第一部分和位于所述密封环外的第二部分；以及

多个图像传感器，位于所述半导体衬底中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：位于所述第二管芯边缘区域中并且平行于所述第二边缘的第五边缘，所述第五边缘是所述半导体衬底的边缘，并且所述第二边缘是位于所述管芯中的载具的边缘。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二边缘比所述第五边缘离所述密封环的第二边更远。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述金属部件选自由测试焊盘、金属线、通孔和它们的组合所组成的组。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二边和所述第二边缘之间的距离大于20μm。