[发明专利]一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶；

依次形成栅绝缘薄膜、半导体薄膜和源漏极金属薄膜；

去除所述保留在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处的光刻胶，形成栅极引线孔；

形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形；

形成包括像素电极层和沟道的图形。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括像素电极层和沟道的图形包括：

形成包括像素电极层和沟道的图形，并保留所述像素电极层的图形上的光刻胶；

在所述形成包括像素电极层和沟道的图形后，所述方法还包括：

形成绝缘保护薄膜；

去除保留在所述像素电极层的图形上的光刻胶，一并将形成在所述光刻胶上的绝缘保护薄膜一起剥离，以在所述沟道上方形成绝缘保护结构。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形，并在所述栅极金属层的图形上与栅极引线孔对应的位置处保留光刻胶的步骤包括：

在基板上形成栅极金属薄膜；

涂覆光刻胶；

在所述栅极金属薄膜的与栅极引线孔对应的位置处形成第一子光刻胶，在所述栅极金属薄膜除与所述栅极引线孔对应的位置之外的位置形成第二子光刻胶，且所述第一子光刻胶的厚度大于所述第二子光刻胶的厚度；

形成包括栅线和栅电极的栅极金属层的图形；

去除部分厚度的所述第一子光刻胶，去除全部的所述第二子光刻胶。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

所述第一子光刻胶的厚度为1-4微米，所述第二子光刻胶的厚度为0.5-2微米。

5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形的步骤包括：

涂覆光刻胶；

在所述栅极引线孔中的栅极金属层的图形上保留第二光刻胶；

形成所述半导体层图形和所述源漏极金属层图形；

去除所述第二光刻胶。

6.根据权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述形成包括像素电极层和沟道的图形的步骤包括：

形成透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上涂覆光刻胶，形成所述像素电极层和沟道的图形对应的第三光刻胶，所述第三光刻胶包括保留在所述透明导电薄膜上与所述栅极引线孔对应的位置处的光刻胶和保留在所述透明导电薄膜上与源漏极引线端对应的位置处的光刻胶；

形成所述像素电极层和沟道的图形，并在形成所述像素电极层和沟道后保留所述第三光刻胶。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述形成所述像素电极层和沟道的图形，并在形成所述像素电极层和沟道后保留所述第三光刻胶的步骤包括：

对所述第三光刻胶暴露的透明导电薄膜进行刻蚀，形成所述像素电极层的图形；

继续对所述第三光刻胶图样暴露的透明导电薄膜之下的源漏极金属层图形、半导体层图形进行刻蚀，形成所述沟道的图形。

8.一种阵列基板，包括基板，所述基板上设置有包括栅线和栅电极的栅极金属层，所述栅极金属层上设置有栅极绝缘层、半导体层、包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层、像素电极层，所述基板上设置有栅极引线孔和源漏极引线端，其特征在于，

所述栅极引线孔通过所述像素电极层与所述栅极金属层相连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层直接设置在所述源漏极金属层上。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极引线端通过所述像素电极层与所述源漏极金属层相连接。

11.根据权利要求8至10任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述源极、漏极的沟道区域具有绝缘保护结构。

12.根据权利要求8至10任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述源漏极引线端设置在所述数据线上；

所述像素电极层包括设置在所述的数据线上的透明导电层。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8至12任一项所述的阵列基板。