[发明专利]一种COA阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201310108090.1 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103258793A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 齐永莲;舒适;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 coa 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种COA阵列基板的制备方法，包括TFT基底和设置在TFT基底上的彩色滤光层，其特征在于，包括如下步骤：
在TFT基底上的保护层上涂光刻胶层，所述光刻胶层同时作为平坦化层，其中TFT基底包括基底和薄膜晶体管；
通过光刻工艺在光刻胶层中形成彩膜容纳孔；
在彩膜容纳孔中制作彩色滤光层。
2.根据权利要求1所述的COA阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在彩膜容纳孔中制作彩色滤光层的方法为喷墨打印法。
3.根据权利要求1所述的COA阵列基板的制备方法，其特征在于，
还包括：在所述COA阵列基板上形成过孔。
4.根据权利要求3所述的COA阵列基板的制备方法，其特征在于，所述COA阵列基板为OLED阵列基板，所述在所述COA阵列基板上形成过孔包括：
采用一次构图工艺形成彩膜容纳孔和第一通孔，所述第一通孔贯穿平坦层；
对第一通孔区域的保护层进行刻蚀，形成露出驱动薄膜晶体管漏极的过孔；
在彩色滤光层上制作OLED阳极，所述OLED阳极通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为TFT-LCD阵列基板，所述在所述COA阵列基板上形成过孔包括：
采用一次构图工艺形成彩膜容纳孔和第一通孔，所述第一通孔贯穿平坦层；
对第一通孔区域的保护层进行刻蚀，形成露出薄膜晶体管漏极的过孔；
在彩色滤光层上制作像素电极，所述像素电极通过所述过孔与像素TFT的漏极电连接。
6.一种COA阵列基板，包括位于保护层上的光刻胶层，所述光刻胶层同时作为平坦化层，且其中形成有彩膜容纳孔，彩膜容纳孔中形成有彩色滤光层。
7.根据权利要求6所述的COA阵列基板，其特征在于，所述COA阵列基板为OLED基板，所述COA阵列基板上还设置有过孔，阳极通过所述过孔与OLED基板上的薄膜晶体管的漏极电连接。
8.根据权利要求6所述的COA阵列基板，其特征在于，所述COA阵列基板为TFT-LCD阵列基板，所述COA阵列基板上还设置有过孔，像素电极通过所述过孔与TFT-LCD阵列基板上的薄膜晶体管的漏极电连接。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6～8任一所述的COA阵列基板。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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