[发明专利]锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法

权利要求书

1.一种锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，用于实现将多晶硅电阻和锗硅HBT集成在一起制作，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一具有场氧隔离结构的硅衬底，所述硅衬底的有源区由所述场氧进行隔离；在所述硅衬底上淀积形成第一层多晶硅；对所述第一层多晶硅进行掺杂，使所述第一层多晶硅掺杂后的方块电阻为所要形成的所述多晶硅电阻的方块电阻；

步骤二、采用光刻刻蚀工艺对所述第一层多晶硅进行刻蚀，该刻蚀工艺将所述多晶硅电阻的形成区域外延的所述第一层多晶硅去除、将所述多晶硅电阻的形成区域内的所述第一层多晶硅保留，由刻蚀后所保留的所述第一层多晶硅组成所述多晶硅电阻；

步骤三、在形成有所述多晶硅电阻的所述硅衬底表面淀积第二层氧化硅，对所述第二层氧化硅进行回刻，回刻后所述第二层氧化硅仅保留于所述多晶硅电阻的侧面并形成所述多晶硅电阻的侧墙；

步骤四、采用热氧化工艺在形成有所述多晶硅电阻的侧墙的所述硅衬底表面形成第三氧化硅层，用于去除步骤三的回刻工艺对所述多晶硅电阻表面以及所述多晶硅电阻之外的所述硅衬底表面的损伤；

步骤五、在所述第三氧化硅层表面依次淀积第四氧化硅层和第五多晶硅仔晶层；

步骤六、采用光刻和刻蚀工艺打开锗硅外延层窗口，所述锗硅外延层窗口内的所述第三氧化硅层、所述第四氧化硅层和所述第五多晶硅仔晶层都被去除并将用于形成所述锗硅HBT的所述有源区表面露出；

步骤七、在形成有所述锗硅外延层窗口的所述硅衬底正面淀积锗硅外延层；在所述锗硅外延层表面淀积第六氧化硅层；

步骤八、采用光刻工艺形成光刻胶图形并由该光刻胶图形定义出所述锗硅HBT的基区形成区域，以所述光刻胶图形为掩膜采用湿法刻蚀工艺将所述基区形成区域外的所述第六氧化硅层去除；以所述光刻胶图形为掩膜采用干法刻蚀工艺将所述基区形成区域外的所述锗硅外延层和所述第五多晶硅仔晶层去除，所述干法刻蚀工艺最后还包括一各向同性的过刻蚀工艺，该过刻蚀工艺将所述基区形成区域外的所述第四氧化硅层表面高低不平处残留的所述锗硅外延层和所述第五多晶硅仔晶层完全去除；所述干法刻蚀工艺之后由所述光刻胶图形定义区域的所述锗硅外延层组成所述锗硅HBT的基区。

2.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，其特征在于：步骤一中所述第一层多晶硅的厚度为1500埃～3000埃，采用离子注入工艺对所述第一层多晶硅进行掺杂。

3.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，其特征在于：步骤三中所述第二层氧化硅的厚度为2000埃以上，对所述第二层氧化硅回刻后采用对所述第二层氧化硅无刻蚀作用的清洗液对所述硅衬底表面进行清洗。

4.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，其特征在于：步骤四中所述第三氧化硅层的厚度为30埃～80埃；步骤五中所述第四氧化硅层的厚度为200埃～500埃，所述第五多晶硅仔晶层的厚度为300埃～500埃。

5.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，其特征在于：步骤七中所述第六氧化硅层的厚度为150埃～300埃。

6.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，其特征在于：步骤一中所述场氧为局部场氧或浅槽场氧，所述多晶硅电阻位于所述场氧上方。

7.如权利要求1所述的锗硅HBT工艺中多晶硅电阻集成制作方法，其特征在于：在步骤一淀积所述第一层多晶硅之前还包括在所述锗硅HBT的形成区域的所述有源区中形成集电区的步骤，所述集电区和后续形成的所述基区相接触；在步骤八形成所述基区之后，还包括在所述基区上方形成所述锗硅HBT的由多晶硅发射区的步骤。