[发明专利]固态拍摄装置以及方法无效

专利信息
申请号: 201310084204.3 申请日: 2013-03-15
公开(公告)号: CN103545327A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 佐藤英史 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 拍摄 装置 以及 方法
【说明书】:

技术领域

发明的实施方式涉及固态拍摄装置以及方法。

背景技术

CCD图像传感器和/或CMOS图像传感器等固态拍摄装置以数字照相机、摄像机或者监视照相机等多种用途来使用。就固态拍摄装置而言,伴随着像素尺寸的缩小化,一部分使用优先确保向光电二极管入射的入射光量的背面照射型结构。

在向固态拍摄装置内的模拟电路以及逻辑电路供给电源的情况下,例如从设置于半导体基板的背面的电源焊盘经由贯通半导体基板的贯通电极,向设置于半导体基板的表面的电源线供给电源,进而,从该电源线向模拟电路以及逻辑电路供给电源。因此,在电源焊盘被配置在芯片端的情况下,在芯片中央部距离电源的供给源的距离变远,电压下降变大。因此,向模拟电路以及逻辑电路供给稳定的电源是很困难的。

发明内容

本发明要解决的课题是提供能够向像素部的周边电路供给稳定的电源的固态拍摄装置以及方法。

实施方式涉及的固态拍摄装置,其特征在于,包括:半导体层,其具有设置有多个光电二极管的像素区域和提供用于对从像素产生的信号进行处理的周边电路的周边电路区域;电源线,为了向所述周边电路供给电源,该电源线设置于所述周边电路区域的所述半导体层的第1主面;第1布线层,为了向所述电源线供给所述电源,该第1布线层设置于所述周边电路区域的所述半导体层的第2主面;和多个第1贯通电极,其设置于所述周边电路区域,贯通所述第1主面与所述第2主面之间的所述半导体层;所述第1贯通电极的至少一部分将所述电源线与所述第1布线层之间电连接。

另一实施方式的方法,是向固态拍摄装置的周边电路供给电源的方法,该固态拍摄装置包括半导体层,该半导体层具有:设置有多个光电二极管的像素区域,和设有用于对从所述像素产生的信号进行处理的所述周边电路的周边电路区域;该方法的特征在于,包括如下步骤:从所述半导体层的第1主面向所述周边电路供给电源;从所述半导体层的第2主面经由设置于所述周边电路区域的多个贯通电极,向所述半导体层的所述第1主面供给电源;和在所述半导体层的所述第2主面,从所述周边电路区域的外侧向所述周边电路区域供给所述电源。

进而,另一实施方式的固态拍摄装置,其特征在于,包括:半导体层,其具有设置有多个光电二极管的像素区域和设有用于对从所述像素产生的信号进行处理的周边电路的周边电路区域;第1以及第2信号线,其设置于所述周边电路区域的所述半导体层的第1主面,供给信号处理;第2布线层,其设置于所述周边电路区域的所述半导体层的第2电极;和第3以及第4の贯通电极,其设置于所述周边电路区域,贯通所述第1主面与所述第2主面之间的所述半导体层;所述第3贯通电极与所述第1信号线电连接,所述第4贯通电极将所述第2信号线与所述第2布线层电连接。

根据上述构成的固态拍摄装置以及方法,能够向像素部的周边电路供给稳定的电源。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的固态拍摄装置的布局图。

图2是固态拍摄装置的沿图1的A-A′线的剖视图。

图3是固态拍摄装置的沿图1的B-B′线的剖视图。

图4是电源用的多个贯通电极的布局图。

图5是固态拍摄装置的沿图4的C-C′线的剖视图。

图6是对形成于模拟电路区域的半导体元件进行说明的固态拍摄装置的剖视图。

图7是第2实施方式涉及的贯通电极以及背面侧布线的布局图。

图8是固态拍摄装置的沿图7的D-D′线的剖视图。

图9是固态拍摄装置的沿图7的E-E′线的剖视图。

图10是使用本实施方式的固态拍摄装置的数字照相机的框图。

具体实施方式

下面,关于实施方式,参照附图进行说明。但是,附图是示意性的或概念性的,各附图的尺寸以及比例等并不限于必需与现实情况相同。下面所示的几个实施方式,例示了用于将本发明的技术思想具体化的装置以及方法,本发明的技术思想不由构成零件的形状、结构、配置等来特定。此外,在下面的说明中,对于具有同样的功能以及结构的要件,标注同样的附图标记,仅在必要的情况下进行重复说明。

(第1实施方式)

本实施方式中,作为固态拍摄装置,举出具有背面照射型(BSI:backside illumination)结构的CMOS图像传感器为例进行说明。

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