[发明专利]一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310078234.3 | 申请日: | 2013-03-12 |
公开(公告)号: | CN104051662A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 阳极 及其 制备 方法 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域,特别涉及一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W,寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
在传统的发光器件中,器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的,而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部,界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO(氧化铟锡)之间的折射率之差,玻璃折射率为1.5,ITO为1.8,光从ITO到达玻璃,就会发生全反射),引起了全反射的损失,从而导致整体出光性能较低。因此,有必要提高OLED的发光效率。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种复合阳极及其制备方法,所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和p型掺杂层组成,该复合阳极可应用于聚合物太阳能电池和有机电致发光器件,应用于有机电致发光器件时,有利于器件空穴的注入,同时提高器件的导电性和发光效率。本发明还提供了包含上述复合阳极的有机电致发光器件及其制备方法。
第一方面,本发明提供了一种复合阳极,所述复合阳极由依次层叠的玻璃基底、掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和p型掺杂层组成;所述掺杂金属氧化物层材质为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)和五氧化二钒(V2O5)中的一种与氧化镁(MgO)按照质量比为1:0.1~0.3的比例形成的混合材料,所述p型掺杂层为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)和五氧化二钒(V2O5)中的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05~0.4的比例形成的混合材料,所述酞菁类化合物为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)和酞菁钒(VPc)中的一种。
优选地,所述掺杂金属氧化物层的厚度为2~30nm。
优选地,所述导电金属单质层材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)和金(Au)中的一种,所述导电金属单质层厚度为2~20nm。
优选地,所述p型掺杂层的厚度为2~30nm。
优选地,所述玻璃基底为市售普通玻璃。
第二方面,本发明提供了一种复合阳极的制备方法,包括以下步骤:
提供所需尺寸的玻璃基底,清洗后干燥;
在玻璃基底出光面上采用真空蒸镀的方法依次制备所述掺杂金属氧化物层、导电金属单质层和p型掺杂层,得到所述复合阳极;其中,所述掺杂金属氧化物层材质为MoO3、WO3和V2O5的一种与MgO按照质量比为1:0.1~0.3的比例形成的混合材料,所述掺杂金属氧化物层和导电金属单质层蒸镀条件均为:蒸镀压强为2×10-4~3×10-3Pa,蒸镀速率为1~10nm/s;所述p型掺杂层材质为MoO3、WO3和V2O5的一种和酞菁类化合物按照质量比为1:0.05~0.4的比例形成的混合材料,所述酞菁类化合物为酞菁铜、酞菁锌和酞菁钒中的一种,所述p型掺杂层的蒸镀压强为2×10-4~3×10-3Pa,蒸镀速率为0.1~1nm/s。
优选地,所述掺杂金属氧化物层的厚度为2~30nm。
优选地,所述导电金属单质层材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)和金(Au)中的一种,所述导电金属单质层厚度为2~20nm。
优选地,所述p型掺杂层的厚度为2~30nm。
优选地,所述玻璃基底为市售普通玻璃。
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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