[发明专利]FS型IGBT器件的背面结构无效
| 申请号： | 201310072619.9 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103117302A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fs igbt 器件 背面 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种FS型IGBT器件的背面结构，其特征是：在漂移区（1）的下表面连接有缓冲层（2），在缓冲层（2）的下表面连接有集电极层（3）；所述缓冲层（2）具有相互间隔的第一缓冲区（21）和第二缓冲区（22），第一缓冲区（21）的掺杂浓度小于第二缓冲区（22）的掺杂浓度；所述集电极层（3）具有相互间隔的第一集电极区（31）和第二集电极区（32），第一集电极区（31）的参杂掺杂小于第二集电极区（32）的掺杂浓度；每个第一缓冲区（21）的正下方对应设置所述的第一集电极区（31），每个第二缓冲区（22）的正下方对应设置所述的第二集电极区（32）；第一缓冲区（21）和第二缓冲区（22）的排列延伸方向以及第一集电极区（31）和第二集电极区（32）的排列延伸方向均与条形Trench多晶硅栅延伸方向相平行。
2.如权利要求1所述的FS型IGBT器件的背面结构，其特征是：所述缓冲层（2）为N导电类型，缓冲层（2）为掺磷元素的硅材料，厚度为2um~5um。
3.如权利要求1所述的FS型IGBT器件的背面结构，其特征是：所述集电极层（3）为P导电类型或者N导电类型，集电极层（3）为掺硼元素的硅材料，厚度为0.2um~1um。
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