[发明专利]非线性光学晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201310070718.3 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103132147A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 涂一帆;涂小牛;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 刘秋兰 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种非线性光学晶体，其具有与YCa4O(BO3)3晶体相同的晶体结构，属Cm空间群，m点群，其特征在于：所述的非线性光学晶体为钐钇钙氧硼酸盐晶体，化学式为SmxY1-xCa4O(BO3)3，其中，0＜x＜1。
2.如权利要求1所述的非线性光学晶体，其特征在于：0.05≤x≤0.95。
3.如权利要求1所述的非线性光学晶体，其特征在于：0.3≤x≤0.95。
4.如权利要求1所述的非线性光学晶体，其特征在于：0.5≤x≤0.75。
5.一种制备权利要求1所述的非线性光学晶体的方法，其特征在于具体包括如下步骤：
步骤A)按化学计量比称取CaCO3、Y2O3、Sm2O3和H3BO3，混合后压块、烧结，使发生固相反应得到化合物原料；
步骤B)使用铱或铂坩埚，将所述化合物原料加热熔化，并保温使熔体状态稳定，降温至下种温度，旋转籽晶并开始提拉生长钐钇钙氧硼酸盐晶体；
步骤C)钐钇钙氧硼酸盐晶体生长结束后，将晶体脱离熔体，并使晶体降至室温。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：步骤A)中，所述烧结是在1000～1300℃温度下烧结12～24小时。
7.如权利要求5的方法，其特征在于，步骤B)中，所述化合物原料加热2～5小时至1400～1600℃的熔化温度；并保温2～24小时使熔体状态稳定；降温至1380～1410℃的下种温度，以10～30rpm的转速旋转籽晶并以0.1～10mm/h的提拉速率提拉生长钐钇钙氧硼酸盐晶体。
8.如权利要求5的方法，其特征在于，步骤C)中，晶体以20～100℃/h的速率降至室温。
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