[发明专利]多层电子支撑结构的层间对准

权利要求书

1.一种用于在在先层上对准在后层的方法，所述在先层包括封装在介电材料中的金属特征结构，所述方法包括以下步骤：

a)将所述介电材料减薄并平坦化，以产生介电材料的光滑表面以及使所述金属特征结构的暴露端部共平面；

e)将所述光滑表面成像；

f)区分出至少一个金属特征结构的端部位置；以及

g)利用所述至少一个金属特征结构的端部位置作为定位标记用于对准目的。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属特征结构通过电镀制造。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属特征结构是通孔。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个金属特征结构是通孔柱。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述成像包括对所得的图像进行计算机化光学分析，以确定所述至少一个特征结构的边缘。

6.如权利要求1所述的方法，还包括步骤c)在所述光滑表面上沉积种子层和步骤f)区分出所述至少一个金属特征结构的边缘包括区分出穿过所述种子层的至少一个金属端部的位置。

7.如权利要求6所述的方法，还包括步骤b)在减薄的介电层上沉积粘附/阻挡层，然后沉积所述种子层。

8.如权利要求7所述的方法，还包括步骤d)在所述种子金属上铺设光刻胶层和步骤f)区分出所述至少一个金属特征结构的边缘，其包括区分出穿过所述种子层和所述光刻胶层的至少一个金属特征结构端部的位置。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述种子层的特征在于具有至多3微米的厚度。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述种子层通过物理气相沉积（PVD）或化学镀沉积方法进行沉积，并且包含选自包括Ni、Au、Cu和Pd的组别中的至少一种金属。

11.如权利要求7所述的方法，其中所述粘附/阻挡层的特征在于0.04-0.2微米的厚度以及通过物理气相沉积（PVD）方法沉积并且包含选自包括Ti、Ta、W、Ni、Cr、Pt、Al和Cu的组别中的至少一种金属。

12.如权利要求1所述的方法，其中步骤a)包括选自包括机械研磨、机械抛光和化学机械抛光（CMP）的组别中的至少一种技术。

13.如权利要求1所述的方法，其中将多个通孔柱的端部成像并利用激光写入所述在后层的图案，从而利用来自所述多个通孔柱的通孔柱进行调节以校正所述激光的位置，同时对所述图案进行曝光和显影。

14.如权利要求13所述的方法，所述方法通过控制计算机自动化执行。

15.如权利要求1所述的方法，其中将多个通孔柱的端部成像，并利用所述通孔柱的位置来定位光掩模。

16.如权利要求1所述的方法，其中能够实现优于+-10微米的对准精度。

17.如权利要求1所述的方法，其中能够实现优于+-3微米的对准精度。

18.如权利要求1所述的方法，其中用于对准目的的所述至少一个特征结构具有包括至少一个直边缘的横截面。

19.如权利要求1所述的方法，其中用于对准目的的所述至少一个特征结构具有包括至少两个垂直直边缘的横截面。