[发明专利]液晶显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201310064100.6 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103149736A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 孙韬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/13363 | 分类号: | G02F1/13363;G02F1/1337;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别是涉及一种适用于光学补偿弯曲(optical compensated bend,简称OCB)模式的液晶显示面板及其制作方法。
背景技术
πcell是由美国肯特州立大学Dr.Philip J.Bos首先在1983年提出的。一直到1993年,日本东北大学内田研究室(Dr.Uchida)利用相同的结构,加上双光轴补偿膜(Biaxial Retardation Film),并且降低液晶盒间隙,提出光学自补偿弯曲模式(OCB Mode),液晶分子在上下基板表面分子长轴相位差为180°。不加电时是展曲状态(Splay),在外加电压时液晶分子达到弯曲态(Bend)时,上下玻璃基板液晶分子平行排列,中间的液晶分子始终垂直于上下基板,内层的分子不会扭曲,在一个平面内弯曲。弯曲态中,液晶分子上下对称,克服了液晶分子倾斜时造成的光学性能的影响,上下基板液晶分子相互补偿,得到对称的宽视角。
如图1所示,由于OCB型的液晶分子31只在一个平面内转动,上下层液晶的指向矢在电场作用下的偏转方向一致,因此在调整液晶分子的取向时避免了背流效应,大大加快了液晶的响应速度,和TN型的液晶不同,OCB型由于在操作过程中不需要克服因改变扭曲排列而造成的逆流现象所引起的延滞。故在OCB型操作下,反应速率约1~10ms,比TN型液晶快很多。OCB的这种弯曲状态a到展曲状态b是由弹性势能引起的。OCB模式有快速反应主要是两个方面,一个是液晶分子在电场的作用下可以避免引起背流效应,另一个是在弯曲排列状态下由于电场的加入,引起基板附近液晶分子的排列高度变形。
但是,在转换时需要成核现象来达成,加电压时先是部分液晶分子变成弯曲态成为液晶盒内的转变核心,其他液晶分子就会顺着转变核心而逐渐转变成弯曲态,弯曲面逐渐延伸,直到全部的液晶分子都转至弯曲态,这个转变过程需要较长时间。若是无法形成转变核心,则液晶分子就可能无法转至弯曲态。当液晶分子转至弯曲态后,还不稳定,若外加电压小于临界电压,弯曲态的液晶分子会瞬间回到展曲态。
由上述可知,完成展曲态到弯曲态的转变需要较大的电压(约20V)或较长的时间。
目前,针对这个问题有一些研究。即在液晶分子中掺入成核剂或者是对称性的手性分子,分子在不加电时处于扭曲态,扭曲转变到弯曲需要的能量较小,比展曲到弯曲需要的能量少些,转变容易些。还有研究在液晶分子中加入高分子聚合物,这种高聚物是光敏型聚合物,在光照下分子发生聚合,有光照的部分就排列成弯曲形态,形成弯曲核心。
以上这些研究都需要开发新的液晶材料和寻找合适的光敏型聚合物,耗费开发成本。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种液晶显示面板及其制作方法,以缩短液晶分子从展曲到弯曲的变化时间,并提高弯曲状态的稳定性。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供一种液晶显示面板,包括第一基板、第二基板及其位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层,所述第一基板的靠近液晶层一侧和所述第二基板的靠近液晶层一侧相对应地设置有凸起。
进一步地,所述第一基板的凸起与所述第二基板的凸起镜像对称设置。
进一步地,所述凸起设置于第一基板的配向膜层和第二基板的配向膜层上。
进一步地,所述第一基板为彩膜基板,所述彩膜基板设置有黑矩阵和彩色滤光层,所述凸起位于所述彩膜基板的黑矩阵区域。
进一步地,所述凸起的宽度小于或等于所述液晶层的液晶分子的短半轴。
进一步地,所述凸起的高度大于所述液晶层的液晶分子短轴的长度而小于液晶分子长轴的长度。
进一步地,所述凸起的上部为光滑曲面。
进一步地,所述凸起的上部宽度小于下部宽度。
进一步地,所述凸起的上部为半球形或类半球形,下部为圆柱体或类圆柱体或长方体。
本发明还提供一种液晶显示面板的制作方法,其包括如下步骤:
S1、在第一基板上形成凸起,并镜像地在第二基板上形成相对应的凸起;
S2、将第一基板和第二基板上设置有凸起的一面相对设置,最后在第一基板和第二基板之间灌晶形成液晶层。
进一步地,所述形成凸起包括利用构图工艺在第一基板和第二基板上形成凸起。
进一步地,所述构图工艺为光刻工艺,包括如下步骤:
S1′、在第一基板或第二基板的配向膜层上涂覆制作凸起的材料;
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