[发明专利]半导体集成器件装配工艺

权利要求书

1.一种半导体集成器件的装配工艺，包括：

在半导体材料的第一本体的第一表面上形成限定和间隔结构，所述限定和间隔结构包括限定元件；

在所述限定和间隔结构的至少部分上放置弹性间隔物材料；

在所述第一本体和所述弹性间隔物材料之上堆叠半导体材料第二本体；以及

所述堆叠使所述弹性间隔物材料在所述第一本体与所述第二本体之间流动，而所述限定元件限定所述弹性间隔物材料的所述流动。

2.根据权利要求1所述的装配工艺，其中形成所述限定和间隔结构包括在所述第一本体的所述第一表面上形成并且图案化抗蚀剂层。

3.根据权利要求2所述的装配工艺，其中所述抗蚀剂层包括在所述第一本体的所述第一表面上层叠的干膜。

4.根据权利要求1所述的装配工艺，其中所述第一本体包括至少一个集成电子电路，并且所述第二本体包括至少一个微机电结构。

5.根据权利要求1所述的装配工艺，其中所述限定和间隔结构包括至少一个限定元件，所述至少一个限定元件具有被配置成限定所述弹性间隔物材料的封闭周界。

6.根据权利要求5所述的装配工艺，其中所述限定和间隔结构包括位于所述限定元件的所述封闭周界内的至少一个第一间隔物元件，并且被配置用于至少部分地支撑所述第二本体。

7.根据权利要求6所述的装配工艺，其中所述间隔物元件是位于所述封闭周界内的多个间隔物元件中的一个。

8.根据权利要求6所述的装配工艺，其中在所述限定和间隔结构的至少一部分上放置所述弹性间隔物材料包括在间隔物元件上放置所述弹性间隔物材料，所述工艺还包括：在所述间隔物元件上放置所述第二本体，以便由于施加的压力而在所述限定元件内均匀分布所述弹性间隔物材料；并且固化所述弹性间隔物材料。

9.根据权利要求1所述的装配工艺，其中使所述弹性间隔物材料流动包括向所述第二本体的表面施加压力。

10.根据权利要求1所述的装配工艺，其中所述第一本体包括在所述第一表面上的第一电接触焊盘，并且其中形成所述限定和间隔结构包括在与所述第一电接触焊盘相距预设距离处形成所述限定和间隔结构。

11.根据权利要求10所述的装配工艺，其中所述第二本体具有载有第二电接触焊盘的第二表面，所述工艺还包括通过电线将所述第一电接触焊盘连接到所述第二电接触焊盘；所述限定和间隔结构被配置成用于提供所述第二本体的第二表面关于所述第一本体的所述第一表面而言的基本上平坦性。

12.一种半导体集成器件组件，所述组件包括：

具有顶表面的半导体材料的第一本体；

限定元件，位于所述第一本体的所述顶表面上；

位于所述限定元件内的间隔元件；

具有底表面的半导体材料的第二本体，所述第二本体堆叠于所述第一本体上，并且所述第二本体的所述底表面在所述间隔元件之上；以及

弹性间隔物材料，位于所述限定元件内并且包围所述间隔元件；

其中所述限定元件限定所述弹性间隔物材料在所述第一本体与所述第二本体之间的流动。

13.根据权利要求12所述的组件，包括形成于所述第一本体中的至少一个集成电子电路和形成于所述第二本体中的至少一个微机电结构。

14.根据权利要求13所述的组件，其中所述微机电结构是被配置成基于压力产生检测信号的压力检测结构，并且其中所述集成电子电路是被配置成接收并且处理所述检测信号的ASIC。

15.根据权利要求12所述的组件，其中所述限定元件具有被配置成限定所述弹性间隔物材料的封闭周界。

16.根据权利要求12所述的组件，其中所述弹性间隔物材料被配置成将所述第一本体粘附到所述第二本体。

17.根据权利要求12所述的组件，其中所述限定元件、间隔元件和所述弹性间隔物材料的上表面基本上共面。

18.根据权利要求12所述的组件，其中所述间隔元件是位于所述限定元件中的多个间隔元件中的一个。

19.根据权利要求12所述的组件，其中所述弹性间隔物材料具有在0.5MPa与10MPa之间的杨氏模量。