[发明专利]外延涂覆半导体晶片在审
| 申请号： | 201310052382.8 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103147124A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | R·绍尔;N·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 半导体 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.包括正面及背面的半导体晶片，在其正面上具有根据光弹性应力测量法（“SIRD”）无应力的外延层，此外以面积为2mm×2mm的正方形测量窗为基准，该半导体晶片在其背面上具有表示为高度变化PV（“峰至谷”）的大于或等于2纳米并且小于或等于5纳米的纳米形貌，而表示为光雾的背面“晕圈”大于或等于0.1ppm并且小于或等于5ppm。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，边缘下降参数为–10纳米至+10纳米，这对应于在与该硅晶片边缘的距离为1毫米处测得的通过厚度测量确定的平均横截面相对于通过回归确定的参考线的偏差。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，最大局部平坦度值SFQRmax大于或等于0.025微米并且小于或等于0.04微米。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其在所述外延层内的电阻均匀性大于或等于±2％并且小于或等于±5％。
5.根据权利要求1所述的半导体晶片，其μPCD复合寿命为2500至3000μs。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于，其是直径为150毫米、200毫米、300毫米或450毫米的其上施加有外延硅层的单晶硅晶片。
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