[发明专利]鳍式场效应晶体管的栅极堆叠件有效
| 申请号： | 201310051230.6 | 申请日： | 2013-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103367442A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 栅极 堆叠 | ||
1.一种场效应晶体管(FinFET)，包括：
衬底，包含第一表面；
绝缘区，覆盖所述第一表面的一部分，其中，所述绝缘区的顶部限定第二表面；
鳍，被设置成穿过所述绝缘区中的开口至所述第二表面之上的第一高度，其中，所述鳍的上部的底部宽于所述上部的顶部，其中，所述上部具有第一楔形侧壁和第三表面；
栅极电介质，覆盖所述第一楔形侧壁和所述第三表面；以及
导电栅极带，横跨在所述栅极电介质上方，其中，所述导电栅极带沿着所述鳍的纵向方向具有第二楔形侧壁。
2.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述第一楔形侧壁与所述第一表面的夹角为约84度至88度。
3.根据权利要求2所述的FinFET，其中，所述第一楔形侧壁的最大宽度与所述第三表面的宽度之间的差值为约1.5nm至5nm。
4.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述鳍还包括从所述上部的底部向下延伸至所述第一表面并且具有第二高度的下部，其中，所述下部具有第三楔形侧壁。
5.根据权利要求4所述的FinFET，其中，所述第三楔形侧壁与所述第一表面的夹角为约60度至85度。
6.根据权利要求4所述的FinFET，其中，所述第一高度与所述第二高度的比值为约0.2至0.5。
7.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述第二楔形侧壁与所述第一表面的夹角为约85度至88度。
8.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述第二楔形侧壁的最大宽度与所述第二楔形侧壁的最小宽度的比值为1.05至1.25。
9.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述导电栅极带包含多晶硅；选自由W、Cu、Ti、Ag、Al、TiAl、TiAlN、TaC、TaCN、TaSiN、Mn或Zr所组成的组中的至少一种金属；或者选自由TiN、WN、TaN或Ru所组成的组中的至少一种金属。
10.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述导电栅极带还包括位于所述第二楔形侧壁上方的基本垂直的部分。
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