[发明专利]注入隔离器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310036529.4 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103715129A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;许慈轩;王文德;许文义 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入 隔离 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种器件，包括：
具有有源区的半导体衬底；
注入隔离区，围绕所述有源区并且从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内；
栅极介电层，位于所述有源区上方并且至少部分位于所述注入隔离区上方；
栅电极，位于部分所述栅极介电层上方；以及
端盖介电层，位于所述注入隔离区上方的所述栅极介电层上。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅电极的一部分至少部分地位于所述注入隔离区上方。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，位于所述注入隔离区上方的所述栅电极的所述一部分的厚度约为所述端盖介电层的厚度。
4.一种方法，包括：
在半导体衬底上方形成栅极介电层；
在所述栅极介电层上方形成第一栅电极层；
在所述第一栅电极层上方形成硬掩模层；
在所述硬掩模层中形成开口以暴露所述第一栅电极层；
注入杂质，所述杂质穿透所述栅极介电层以在所述半导体衬底中形成围绕所述半导体衬底的有源区的注入隔离区；
在所述开口中蚀刻所述第一栅电极层以暴露所述栅极介电层；
用介电材料填充所述开口；以及
去除所述硬掩模层和所述第一栅电极层上面的介电材料。
5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：在所述第一栅电极层上方形成第二栅电极层并且图案化栅电极。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述硬掩模层中形成开口包括：去除所述第一栅电极层位于所述硬掩模层中的所述开口的底部的部分。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，去除所述硬掩模层和介电材料包括平坦化和湿蚀刻。
8.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在注入所述杂质之前在所述开口中沉积共形介电层。
9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述硬掩模层和所述介电材料为相同材料。
10.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一栅电极层为多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
