[发明专利]一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法有效
| 申请号： | 201310027870.3 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103352253A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 高凤梅;贺支青;王霖;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调控 sic 单晶低维 纳米 材料 掺杂 浓度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法，其包括以下具体步骤：
1)催化剂引入：将C纸浸泡在一定浓度的催化剂无水乙醇溶液中，自然晾干备用；
2)高温热解：将液态有机前驱体聚硅氮烷置于石墨坩埚中，然后将含有催化剂的C纸置于石墨坩埚顶部，置于气氛烧结炉中于5％N2和95％Ar气(体积比)的混合保护气氛下热解一定时间；
3)掺杂浓度调控：通过控制热解温度，实现N原子在催化剂液滴中溶解度的控制，进而实现n型SiC单晶低维纳米材料N掺杂浓度的调控。
2.根据权利要求1所述的调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法，其特征在于：所述步骤(3)中为通过控制热解温度来实现SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的调控与设计。
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