[发明专利]壳体及其制作方法

权利要求书

1.一种壳体，其包括基体及依次形成于基体表面的打底层、过渡层、及颜色层，其特征在于：该打底层为一Ti-M层，该过渡层为一氮化钛和氮化M的混镀层，其中M为铬、铝、或硅，该颜色层为一氮化钛铝层，所述打底层的厚度为0.1-0.2um，该打底层中，Ti的质量百分比为50-60％，M的质量百分比为40-50％，该过渡层中，氮化钛的质量百分比为50-60％，氮化M的质量百分比为40-50％。

2.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述基体的材质为铝或不锈钢。

3.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述过渡层的厚度为0.3-0.5um。

4.如权利要求1所述的壳体，其特征在于：所述颜色层的厚度为0.5-0.8um，且该颜色层呈紫色，该颜色层中，氮化钛的质量百分比为30-40％，氮化铝的质量百分比为60-70％。

5.一种壳体的制作方法，其包括如下步骤：

提供一基体；

采用真空镀膜法在该基体的表面依次形成打底层、过渡层、及颜色层，该打底层为一Ti-M层，该过渡层为一氮化钛和氮化M的混镀层，其中M为铬、铝、或硅，该颜色层为一氮化钛铝层,所述打底层的厚度为0.1-0.2um，该打底层中，Ti的质量百分比为50-60％，M的质量百分比为40-50％，该过渡层中，氮化钛的质量百分比为50-60％，氮化M的质量百分比为40-50％。

6.如权利要求5所述的壳体的制作方法，其特征在于：所述真空镀膜法在一真空镀膜机中进行，该真空镀膜机包括一镀膜室及设置于该镀膜室中的一治具、一第一靶材、一第二靶材、及一第三靶材，该第一靶材为钛靶，该第二靶材为铬靶、铝靶、或硅靶，该第三靶材中含有钛和铝，其中该第三靶材中钛的质量百分含量为40-50％，铝的质量百分含量为50-60％。

7.如权利要求6所述的壳体的制作方法，其特征在于：形成所述打底层的方法为：开启第一靶材和第二靶材，调节该镀膜室内的占空比为45-50％，对该基体施加偏压为200-300V，以氩气为工作气体，氩气的流量为100-150sccm，镀膜时间为5-10min。

8.如权利要求6所述的壳体的制作方法，其特征在于：形成所述过渡层的方法为：开启第一靶材和第二靶材，调节该镀膜室内的占空比为40-50％，对该基体施加偏压为250-300V，以氩气为工作气体，氩气的流量为100-150sccm，以氮气为反应气体，氮气的流量为30-50sccm，镀膜时间为25-35min。

9.如权利要求6所述的壳体的制作方法，其特征在于：形成所述颜色层的方法为：开启第三靶材，调节该镀膜室内的占空比为30-45％，对该基体施加偏压为300-350V，以氩气为工作气体，氩气的流量为60-70sccm，以氮气为反应气体，氮气的流量为150-200sccm，镀膜时间为35-45min。