[发明专利]半导体器件间隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310022067.0 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066079A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 潘立阳;谯凤英;袁方 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 间隔 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件间隔离结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底的顶部表面包括具有第一掺杂类型的第一掺杂区域和具有第二掺杂类型的第二掺杂区域；
形成在所述衬底之上的半导体器件单元阵列，所述半导体单元阵列中的每个半导体器件单元为形成在所述第一掺杂区域之上的第一类半导体器件单元或者形成在所述第二掺杂区域之上的第二类半导体器件单元；
形成在相邻两行所述半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；
形成在同一行中相邻两个不同类型的所述半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；以及
形成在同一行中相邻两个相同类型的所述半导体器件单元之间的多个LOCOS隔离结构。
2.如权利要求1所述的半导体器件间隔离结构，其特征在于，还包括：形成在所述第一掺杂区域之上的第一体接触和第一体接触孔；以及，形成在所述第二掺杂区域之上的第二体接触和第二体接触孔。
3.如权利要求1所述的半导体器件间隔离结构，其特征在于，所述衬底具有隐埋氧化层。
4.一种半导体器件间隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底之上形成多个STI隔离结构，所述多个STI隔离结构将所述衬底隔离为多个孤立岛状区域，其中每个所述孤立岛状区域宽度为最终形成的半导体器件阵列的行宽；
对所述多个孤立岛状区域进行掺杂，以在所述衬底的顶部表面形成多个具有第一掺杂类型的第一掺杂区域和多个具有第二掺杂类型的第二掺杂区域；
在所述衬底之上形成多个LOCOS隔离结构，所述LOCOS隔离结构将每个所述第一掺杂区域或每个第二掺杂区域隔离为一个或多个与半导体器件单元大小相匹配的空间；以及
在每个所述第一掺杂区域之上形成一个或多个第一类半导体器件单元，并且在每个所述第二掺杂区域之上形成一个或多个第二类半导体器件单元。
5.如权利要求4所述的半导体器件间隔离结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一掺杂区域之上形成第一体接触和第一体接触孔；以及，在所述第二掺杂区域之上形成第二体接触和第二体接触孔。
6.如权利要求4所述的半导体器件间隔离结构的形成方法，其特征在于，所述衬底具有隐埋氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
