[发明专利]气体供给喷头和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及气体供给喷头和基板处理装置。

背景技术

在ALD（Atomic layer deposition：原子层沉积）、MO-CVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition：金属有机化学汽相淀积）等的成膜装置中，例如，为了交替供给前体和氧化剂成膜薄膜，使用气体供给喷头（气体喷嘴）。在ALD、MO-CVD等中所使用的气体供给喷头为了将不同的气体种类不混合地向基板供给，具备与各种气体对应的各个气体扩散室和气体排出孔。

气体供给喷头的公知例，例如在专利文献1～3中有记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-12471号公报

专利文献2：日本特开昭62-149881号公报

专利文献3：日本特开2003-305350号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，分别通过各个气体扩散室从各个气体排出孔交替供给不同气体时，例如，如果气体扩散室的内部未被充分清扫，则有时在非计划的区域，例如在气体排出孔的附近区域产生不需要的堆积物。

例如，分别交替供给作为前体的三甲基铝（(CH₃)₃Al：TMA）气体、作为氧化剂的水蒸气（H₂O）气体的氧化铝（Al₂O₃）成膜工艺中，例如导致在气体排出孔的附近区域堆积不需要的氧化铝膜。

本发明提供一种能够充分清扫气体扩散室的内部、能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给喷头和使用该气体供给喷头的基板处理装置。

用于解决课题的方案

本发明的第一方面的气体供给喷头是向对基板进行处理的处理空间供给气体的气体供给喷头，具备：第一气体扩散室，其包括直线状的筒状空间；与该第一气体扩散室对应地设置，形成列状的多个第一气体排出孔；第一气体供给口，其设置于上述第一气体扩散室的一端，与向上述第一气体扩散室内供给第一气体的第一气体供给系统连接；和第一气体排气口，其设置于上述第一气体扩散室的另一端，与从上述第一气体扩散室内排出上述第一气体的第一气体排气系统连接。

本发明的第二方面的气体供给喷头是向至少利用第一气体和第二气体对基板进行处理的处理空间供给上述第一气体和上述第二气体的气体供给喷头，具备：相互并列配置的第一气体扩散室、第二气体扩散室、第三气体扩散室和第四气体扩散室；第一气体供给系统，其与上述第一、第二气体扩散室各自的相互相反侧的一端连接，向上述第一、第二气体扩散室供给上述第一气体；第一气体排气系统，其与上述第一、第二气体扩散室各自的相互相反侧的另一端连接，从上述第一、第二气体扩散室排出上述第一气体；第二气体供给系统，其与上述第三、第四气体扩散室各自的相互相反侧的一端连接，向上述第三、第四气体扩散室供给上述第二气体；第二气体排气系统，其与上述第三、第四气体扩散室各自的相互相反侧的另一端连接，从上述第三、第四气体扩散室排出上述第二气体；和与上述第一气体扩散室对应地设置的多个第一气体排出孔、与上述第二气体扩散室对应地设置的多个第二气体排出孔、与上述第三气体扩散室对应地设置的多个第三气体排出孔、以及与上述第四气体扩散室对应地设置的多个第四气体排出孔，上述多个第一、第二、第三、以及第四气体排出孔的开口设置于同一个面上。

本发明的第三方面的基板处理装置具备向至少利用第一气体和第二气体对基板进行处理的处理空间供给上述第一气体和上述第二气体的气体供给喷头，该基板处理装置具备：处理室，其收纳上述基板，在上述基板的周围形成对上述基板进行处理的处理空间；和气体供给喷头，其配置于上述处理室内，向上述处理空间供给上述第一气体和上述第二气体，上述气体供给喷头，使用第二方面的气体供给喷头。

发明效果

根据本发明，由于气体扩散室为直线状的筒状空间，特别是由于壁面的清扫性高，因此能够提供能够充分地对气体扩散室的内部进行清扫并能够抑制在非计划的区域产生不需要的堆积物的气体供给喷头、以及使用该气体供给喷头的基板处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的基板处理装置的一个例子的水平截面图。

图2是沿着图1中的II-II线的截面图。

图3的A图是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置所具备的气体供给喷头的一个例子的水平截面图，B图是沿着A图中B-B线的截面图。