[发明专利]用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途有效

专利信息
申请号: 201310014553.8 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103074684A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 李如康;高昕 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B11/00;C30B15/00;C30B9/12
代理公司: 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 代理人: 杨小蓉;杨青
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 紫外 波段 硼酸盐 双折射 晶体 生长 方法 用途
【权利要求书】:

1.一种用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体,其化学式为KBaSc(B3O6)2,该晶体属于三方晶系,晶体结构中K原子和Ba原子为无序混合占位;空间群为R-3,晶胞参数为Z=3。KBaSc(B3O6)2晶体的透过范围为184-3000nm;在λ=589nm处折射率计算值为:no=1.6168,ne=1.5079,Δn=0.1089;晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存,在空气中稳定,不易潮解,不溶于水。

2.一种权利要求1所述的用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其采用自熔体自发结晶法或助熔剂法生长晶体。

3.按权利要求2所述的用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其特征在于,所述的自熔体自发结晶法生长晶体的步骤如下:

将含钾化合物、含钡化合物、含钪化合物和含硼化合物按其中钾:钡:钪:硼的摩尔比=1:1:1:6的比例混合均匀,在铂坩埚中加热至熔融态,搅拌24-48小时;通过尝试下籽晶确定上述混合熔体的饱和点温度,将温度升至饱和点温度以上2-20°C,将没有绑籽晶的籽晶杆放入熔体中,然后以0.05-5°C/h的速率降温,使其自发结晶,待结晶后,在降温速率为0.05-5°C/h条件下生长晶体;待晶体长到厘米级尺寸时,将晶体提离液面,并以2-50°C/h的速率降至室温,得到KBaSc(B3O6)2双折射晶体。

4.按权利要求2所述的用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其特征在于,所述的助熔剂法生长晶体的步骤如下:

将含钾化合物、含钡化合物、含钪化合物、含硼化合物和助熔剂混合研磨,在铂坩埚中加热至熔融态,搅拌24-48小时;通过下尝试籽晶确定上述混合熔体的饱和点温度,将温度升至饱和点温度以上2-20°C时,将籽晶固定在籽晶杆末端,将籽晶从生长炉顶端放入,使其与混合熔体表面接触或者使其伸入到熔体内;下籽晶后10-60分钟,将温度降至饱和点温度,同时以10-100转/分的旋转速率旋转籽晶杆,然后以0.05-5°C/h的速率降温的条件下生长晶体;待晶体长到厘米级尺寸时,将晶体提离液面,并以2-50°C/h的速率降至室温,得到KBaSc(B3O6)2双折射晶体;

所述含钾化合物、含钡化合物、含钪化合物和含硼化合物按其中的钾:钡:钪:硼的摩尔比=1:1:1:6的比例混合构成化合物原料;所述化合物原料与助熔剂的摩尔比为1:(0.2~2);

所述助熔剂为氟化钾、氧化钾、氟化钠、氧化钠、氟化钡、氯化钡、氯化钠、氟化锂、氧化锂、氧化硼或它们的混合物。

5.按权利要求3或4所述的用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其特征在于,所述的含钾化合物为纯度不低于99.9%的氧化钾、氢氧化钾、卤化钾、碳酸钾、硝酸钾、硫酸钾、乙酸钾或草酸钾;所述的含钡化合物为纯度不低于99.9%的氧化钡、氢氧化钡、卤化钡、碳酸钡、硝酸钡、硫酸钡、乙酸钡或草酸钡;所述的含钪化合物为纯度不低于99.9%的氧化钪、氢氧化钪、卤化钪或硝酸钪;所述的含硼化合物为纯度不低于99.9%的硼酸或氧化硼。

6.按权利要求4所述的用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体的生长方法,其特征在于,所述助熔剂的纯度不低于99.9%。

7.一种权利要求1所述的用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体的用途,其特征在于,所述硼酸盐双折射晶体为KBaSc(B3O6)2双折射晶体,用于制作偏振分束棱镜。

8.按权利要求7所述的用于紫外波段的硼酸盐双折射晶体的用途,其特征在于,所述的偏振分束棱镜为格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器。

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