[发明专利]晶圆边缘的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310011495.3 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103928290A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘 刻蚀 方法 | ||
1.一种晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆包括器件区和位于器件区边缘的外围区，所述外围区包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于器件区和第二区域之间，且第二区域的上表面高于第一区域的上表面；
对第一区域和第二区域的上表面进行氧化处理，形成氧化层，所述第二区域上的氧化层厚度大于第一区域上的氧化层厚度；
去除第一区域上的氧化层以及第二区域上部分厚度的氧化层；
刻蚀第二区域上剩余的氧化层以及外围区，使第一区域的上表面与第二区域的上表面齐平。
2.如权利要求1所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，对第一区域和第二区域的上表面进行氧化处理、去除第一区域上的氧化层以及第二区域上部分厚度的氧化层在斜面刻蚀机中进行。
3.如权利要求1所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，对第一区域和第二区域的上表面进行氧化处理的方法为含氧气体等离子体处理。
4.如权利要求3所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，所述含氧气体为氧气或者氧气与二氧化碳、氦气和氩气中的一种或几种的混合气体。
5.如权利要求1所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，去除第一区域上的氧化层以及第二区域上部分厚度的氧化层的方法为湿法刻蚀。
6.如权利要求5所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液。
7.如权利要求6所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中氢氟酸与水的体积比为1:100~1:2000。
8.如权利要求1所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀第二区域上剩余的氧化层以及外围区在斜面刻蚀机中进行。
9.如权利要求8所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀第二区域上剩余的氧化层以及外围区时，斜面刻蚀机中上等离子体隔断区域环的温度为0℃~150℃，斜面刻蚀机中反应腔的温度小于上等离子体隔断区域环的温度。
10.如权利要求8所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀第二区域上剩余的氧化层以及外围区的气体为含氟气体。
11.如权利要求10所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，所述含氟气体为CF4、C2F6和SF6中的一种或者几种。
12.如权利要求1所述的晶圆边缘的刻蚀方法，其特征在于，所述外围区上表面为斜面，由第一区域靠近器件区一侧边缘至第二区域远离第一区域一侧边缘的外围区厚度递减。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
