[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201310010122.4 | 申请日: | 2013-01-09 |
公开(公告)号: | CN103915463A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 黄靖恩;黄逸儒;吴志凌;罗玉云 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
一基板,具有一上表面;
多个发光单元,配置在该基板的该上表面上,该些发光单元包括:
至少一第一发光二极管;以及
至少一第二发光二极管,其中该第一发光二极管的一第一侧壁与该第二发光二极管的一第二侧壁彼此相邻且定义出一凹部,该凹部暴露出该基板的部分该上表面;
一绝缘层,至少覆盖该第一发光二极管的该第一侧壁与该第二发光二极管的该第二侧壁上;
一电流分布层,覆盖该凹部,且至少覆盖部分该第二发光二极管;以及
一反射层,覆盖该电流分布层,且电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括一阻障层,配置在该反射层上。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,该阻障层的材质包括钨、钨化钛或钨化钛/铂。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该绝缘层还覆盖被该凹部所暴露出的该基板的部分该上表面,且该电流分布层延伸覆盖部分该第一发光二极管。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该电流分布层并未覆盖该第一发光二极管。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其特征在于,该绝缘层还覆盖被该凹部所暴露出的该基板的部分该上表面。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该基板的该上表面具有一凹陷,该凹陷对应该凹部设置,且该绝缘层还延伸至该凹陷内且覆盖该凹陷。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该基板的该上表面具有一凹陷,该凹陷对应该凹部设置,而该绝缘层还延伸至该凹陷内且未覆盖该凹陷的一底部,该电流分布层还覆盖该凹陷的该底部。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一发光二极管包括一第一半导体元件层、一第一电极以及一第二电极,该第一半导体元件层包括一第一半导体层、一第一发光层以及一第二半导体层,该第一发光层配置在该第一半导体层与该第二半导体层之间,该第一电极位于该第一半导体层上,且该第二电极位于该第二半导体层上。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,该绝缘层还覆盖部分该第一半导体层,而该电流分布层还覆盖部分该第一电极。
11.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,还包括一阻障层,配置在该反射层上以及该第一发光二极管的该第二电极与该第二半导体层之间。
12.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第二发光二极管包括一第二半导体元件层以及一第三电极,该第二半导体元件层包括一第三半导体层、一第二发光层以及一第四半导体层,该第二发光层配置在该第三半导体层与该第四半导体层之间,该第三电极位于该第三半导体层上,该绝缘层还覆盖部分该第四半导体层,该电流分布层覆盖部分该第四半导体层,且该电流分布层与该第四半导体层形成欧姆接触。
13.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一发光二极管的该第一侧壁与该第二发光二极管的该第二侧壁分别为一倾斜侧壁或一垂直侧壁。
14.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该绝缘层的材质包括氧化硅或氧化钛。
15.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该绝缘层是由两种以上不同折射率材料所组成。
16.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该电流分布层的材质包括镍/金、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌或上述的组合。
17.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该反射层的材质包括银、钛、铝、金、铬、镍、铂或其合金。
18.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该反射层是由多层具有不同反射率材料的金属或金属合金所组成。
19.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一发光二极管与该第二发光二极管以串联或并联的方式电性连接。
20.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一发光二极管与该第二发光二极管皆为一覆晶式发光二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的