[发明专利]用于OLED的透明阳极无效
申请号: | 201280070682.2 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN104145349A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | D.吉马尔;J.博茨;A.帕拉西奥斯-拉卢瓦 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;C03C17/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 黄念;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 透明 阳极 | ||
1.用于有机电致发光二极管(OLED)的透明电极,其在由无机玻璃制成的透明载体上包含n个单元薄层堆叠体,每个单元堆叠体依次包含,从该玻璃载体开始:
-混合氧化锌锡(SnZnO)层,氧化锌(ZnO)结晶层,其任选地是掺杂的,优选用铝和/或用镓掺杂,和
-银金属层,其与ZnO层接触,
该电极特征在于在每个银层和与其最靠近的一个或多个SnZnO层之间设置了氮化硅(Si3N4)层或二氧化硅(SiO2)层。
2.根据权利要求1的电极,特征在于n是1至4,优选2至3的整数,特别地等于2。
3.根据前述权利要求任一项的电极,特征在于每个Si3N4或SiO2层的厚度为1至10nm,优选2至9nm,特别地3至8nm。
4.根据前述权利要求任一项的电极,特征在于至少一个单元堆叠体,优选每个单元堆叠体,在银金属层上方,优选与该银金属层接触地,还包含牺牲层,该牺牲层包含选自钛、镍、铬、铌或它们的混合物的金属。
5.根据前述权利要求任一项的电极,特征在于该电极包括至少两个银金属层,和特征在于,仅仅在最后银金属层上方,优选与该银金属层接触地,布置了包含选自钛、镍、铬、铌或它们的混合物的金属的牺牲层。
6.根据前述权利要求任一项的电极,特征在于该电极还包含在该最后银层,尤其第n个堆叠体的银层的上方设置的透明导电氧化物(TCO)层,优选锡掺杂的氧化铟(ITO)层。
7.根据前述权利要求任一项的电极,特征在于每个SiO2或Si3N4层,在一侧上与ZnO层,优选用铝掺杂的ZnO层接触,在另一侧上与SnZnO层接触。
8.根据前述权利要求任一项的电极,特征在于当n为至少等于2时,它还在一个堆叠体的最后层和随后的堆叠体的第一层之间依次包含:
-ZnO层,优选是掺杂的,优选用铝或镓掺杂,优选具有小于20nm甚至小于10nm的厚度;和
-SiO2或Si3N4层,优选具有1至10nm,优选2至9nm,特别地3至8nm的厚度。
9.根据权利要求1-6任一项的电极,特征在于它包含至少两个银金属层,和特征在于n等于1和包含SiO2或Si3N4/SnZnO/SiO2或Si3N4/ZnO/Ag的单元堆叠体位于银层的上方,该银层是从玻璃载体开始的第一银层,和优选在第一银层下方布置多层,该多层选自以下SnZnO/SiO2或Si3N4/ZnO,或Nb2O5或TiO2/SiO2或Si3N4层/ZnO。
10.根据权利要求1-6任一项的电极,特征在于它包含至少两个银金属层,和特征在于n等于1和该单元堆叠体包含SnZnO/SiO2或Si3N4/ZnO/Ag,其中Ag是从该玻璃载体开始的第一银层,优选在第一银层和第二银层之间,该电极包含下列多层:牺牲层,优选Ti层/ ZnO层。
11.根据前述权利要求任一项的电极,特征在于该被设置在每个银层和每个最靠近该银层的SnZnO层之间的层为二氧化硅(SiO2)层或者被设置在每个银层和每个最靠近所述银层的SnZnO层之间的层为氮化硅(Si3N4)层。
12.具有有机电致发光二极管(OLED)的光电装置,其包含至少一个根据前述权利要求任一项的电极。
13.根据前一权利要求的装置,特征在于该电极是OLED的阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择