[发明专利]具有色散补偿外腔的锁模半导体激光二极管

权利要求书

1.一种半导体激光设备，包括：锁模半导体激光装置和包括色散补偿系统的外部谐振器，其中，所述半导体激光设备被配置为生成自调制、将负群速度色散引入到所述外部谐振器中并且在所述外部谐振器之后提供光谱过滤。

2.根据权利要求1所述的半导体激光设备，其中，所述锁模半导体激光装置为双段激光装置。

3.根据权利要求2所述的半导体激光设备，其中，所述双段激光装置包括氮化镓基激光二极管。

4.根据权利要求1所述的半导体激光设备，进一步包括被配置为提供光谱过滤的波长选择器件。

5.根据权利要求1所述的半导体激光设备，其中，所述锁模半导体激光装置包括层压结构，所述层压结构包括多个半导体层，其中，至少一个半导体层与至少一个发射区域和至少一个可饱和吸收区域相关联，并且其中，所述至少一个发射区域和所述至少一个可饱和吸收区域被平行布置在所述外部谐振器的方向上。

6.根据权利要求5所述的半导体激光设备，其中，所述锁模半导体激光装置具有脊条型分限异质结构和倾斜脊条型分限异质结构中的任何一种。

7.根据权利要求5所述的半导体激光设备，进一步包括将与所述至少一个半导体层相关联的电极分离成至少第一部分和第二部分的至少一个分离槽。

8.根据权利要求1所述的半导体激光设备，其中，所述外部谐振器包括所述锁模半导体激光装置的第一端面、以及反射镜和部分反射镜中的至少一个。

9.根据权利要求8所述的半导体激光设备，其中，所述外部谐振器的长度为所述锁模半导体激光装置的所述第一端面与所述反射镜和所述部分反射镜中的至少一个之间的距离。

10.根据权利要求9所述的半导体激光设备，其中，所述外部谐振器的长度小于1500微米。

11.根据权利要求10所述的半导体激光设备，其中，所述半导体激光设备被配置为改变所述外部谐振器的长度，从而将所述负群速度色散引入所述外部谐振器中。

12.根据权利要求1所述的半导体激光设备，其中，所述色散补偿光学系统包括衍射光栅、棱镜、干涉仪、反射镜和聚光器件中的至少一个。

13.根据权利要求1所述的半导体激光设备，其中，所述半导体激光设备被配置为允许以飞秒的脉冲时间宽度水平来生成光脉冲。

14.一种生成光脉冲的方法，所述方法包括：

提供一种半导体激光设备，所述半导体激光设备包括锁模半导体激光装置、外部谐振器和所述外部谐振器中的色散补偿光学系统；

通过利用所述半导体激光设备生成自调制、将负群速度色散引入所述外部谐振器中并且在所述外部谐振器之后提供光谱过滤来生成所述光脉冲。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：生成具有约飞秒的脉冲时间宽度的所述光脉冲。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述锁模半导体激光装置为双段激光装置。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述双段激光装置包括氮化镓基激光二极管。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述锁模半导体激光装置包括层压结构，所述层压结构包括多个半导体层，其中，至少一个半导体层与至少一个发射区域和至少一个可饱和吸收区域相关联，其中，所述至少一个发射区域和所述至少一个可饱和吸收区域被平行布置在所述外部谐振器的方向上。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述外部谐振器包括所述锁模半导体激光装置的第一端面以及反射镜和部分反射镜中的至少一个。