[发明专利]发光二极管封装件

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管封装件。

背景技术

发光二极管基本上是作为P型半导体和N型半导体的接合的PN结二极管。

在所述发光二极管中，在使P型半导体和N型半导体接合之后，若对所述P型半导体和N型半导体施加电压以使电流流过，则所述P型半导体的空穴朝所述N型半导体侧移动，与此相反，所述N型半导体的电子朝所述P型半导体侧移动，由此所述电子和空穴将朝所述PN结部移送。

移动到所述PN结部的电子在从导带（conduction band）跌落至价带（valence band）的同时与空穴结合。此时，将会产生与所述导带和价带的高度差（即，能量差）相当的能量，所述能量以光的形态释放。

这种发光二极管是用于发出光的半导体元件，具有环保、低电压、长寿命以及低成本等特征，以往大多应用在诸如显示用灯或数字等简单的信息显示中，然而，最近随着产业技术的发展，尤其信息显示技术和半导体技术的发展，甚至使用在显示领域、汽车头灯、投影仪等多个方面。

图1为示出以往的发光二极管封装件的剖面图。

若参照图1进行说明，则以往的发光二极管封装件100可包括发光二极管芯片110、封装件基板120、隔壁130以及玻璃140。

此时，所述发光二极管芯片110包括生长基板（未图示）和在所述生长基板（未图示）的一侧表面上具有所述发光二极管（未图示）的发光二极管元件112，且所述发光二极管芯片110可以是以通过凸点114倒装键合于基台（sub mount）160的形态具备所述二极管元件112的倒装芯片。

所述发光二极管芯片110可贴装于所述封装件基板120的一侧表面上而配备。所述封装件基板120可具备电极垫122，该电极垫122贯穿所述封装件基板120而从所述封装件基板120的一侧表面延伸至另一侧表面。此时，所述发光二极管芯片110可通过引线118连接于电极垫122。

另一方面，以往的发光二极管封装件100沿着所述封装件基板120的边缘位置具备隔壁130，在所述隔壁130上利用粘接剂150等来粘接玻璃140，由此封闭了所述发光二极管芯片110。

因此，在对以往的发光二极管封装件100，尤其倒装芯片形态的发光二极管芯片进行封装时，由于其结构复杂，所以不仅生产成本高，而且还存在工艺复杂的问题。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种在对倒装芯片形态的发光二极管芯片进行封装时，通过在芯片级进行封装而使其结构得以简单化的发光二极管封装件。

本发明的另一目的在于提供一种光提取效率高的发光二极管封装件。

技术方案

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面提供发光二极管封装件：包括：生长基板；钝化层，设置于所述生长基板的一侧表面上；以及封装件基板，具备主体部和壁部，所述壁部设置于所述主体部上，其中，至少所述主体部、壁部以及钝化层之间的空间与外部形成封闭。

所述发光二极管封装件还包括半导体结构体层，该半导体结构体层设置于所述生长基板与钝化层之间，且包括第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，而且所述钝化层可具备使所述第一型半导体层及第二型半导体层的一部分暴露的开口部。

所述发光二极管封装件还可包括第一凸点及第二凸点，该第一凸点及第二凸点设置于所述钝化层上，且通过所述钝化层的开口部分别与所述第一型半导体层和第二型半导体层电连接。

所述第一凸点及第二凸点可以与分别设置于所述主体部的预定区域，且贯穿所述主体部而设置的第一电极垫及第二电极垫接触。

所述凸点和所述电极垫的接触可通过导电性物质而形成。

所述半导体结构体层可被设置成表面和侧面被所述钝化层覆盖的形态或者其中的侧面没有被覆盖的形态。

所述活性层可被设置成在所述活性层的侧面方向上具有所述封装件基板的壁部。

所述钝化层和壁部可通过密封部件而连接。

所述密封部件可以是导电性物质。

所述钝化层与密封部件之间或所述密封部件与壁部之间可设有密封垫。

所述生长基板在其另一侧表面上可形成凹凸。

所述封装件基板的主体部和壁部可以是一体型。

所述封装件基板的主体部和壁部可由互不相同的物质构成。

发明效果

根据本发明，具有如下效果：提供一种在对倒装芯片形态的发光二极管芯片进行封装时，通过在芯片级进行封装而使其结构得以简单化的发光二极管封装件。